[实用新型]一种低温漂电源电压检测电路

说明书

本实用新型公开了一种低温漂电源电压检测电路,所述电路的第一PMOS管P1、第二PMOS管P2和第三PMOS管P3的源极连接电源电压VCC,第一PMOS管P1的漏极和栅极以及第二PMOS管P2的栅极连接在一起，第二PMOS管P2的漏极连接第三PMOS管P3的栅极，第三PMOS管P3的漏极连接第五电阻R5，第一电阻R1和第二电阻R2的连接点接第一NPN型三级管Q1的基极,第一NPN型三级管Q1的集电极接第一PMOS管P1的漏极，第一NPN型三级管Q1的发射极连接第三电阻R3，第一NPN型三级管Q1的基极连接第二NPN型三级管Q2的基极，第二NPN型三级管Q2的集电极连接第二PMOS管P2的漏极，第二NPN型三级管Q2的发射极、第三电阻R3与第四电阻R4相连接，节省了芯片面积，减小了功耗电流，极大地降低了应用成本。

技术领域

本实用新型涉及模拟集成电路设计技术领域，具体涉及一种低温漂电源电压检测电路。

背景技术

在模拟集成电路设计过程中，电路对供电电源的电压是有一定要求的，如果电源电压过低则电路不能正常启动和工作,如果电源电压过高，则有可能对电路造成损坏,所以我们通常需要对电源的电压进行检测，只有检测到电源电压符合要求时才会启动电路，对电源电压的检测不应受温度变化的影响,图1所示为一种常见的低温漂电源电压检测电路，图中电阻Rf1和Rf2对电源电压VCC进行分压采样，得到电压VP：

VP=VCC*Rf2/(Rf1+Rf2)

图中带隙基准模块（Bandgap）产生带隙基准电压Vref，该电压随温度的变化可忽略,电压Vref和VP分别连接到比较器COMP的正相输入端和反相输入端，OUT连接比较器COMP的输出端,当VPVref时，即：

VCCVref*(Rf1+Rf2)/Rf2

OUT输出低电平，说明电源电压VCC高于设定阈值，

当VPVref时，即：

VCCVref*(Rf1+Rf2)/Rf2

OUT输出高电平，说明电源电压VCC低于设定阈值，

图1中的电路结构需要用到独立的带隙基准模块（Bandgap）和比较器模块（COMP），电路结构复杂，功耗电流大，芯片面积大，应用成本高，基于上述原因，我们实用新型了本专利电路，将带隙基准模块和比较器模块很好的结合到一起，改进了原检测电路的缺点。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种低温漂电源电压检测电路,所述电路包括电源电压（VCC）、第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）、第三PMOS管（P3）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、第五电阻（R5）、第一NPN型三级管（Q1）、第二NPN型三级管（Q2）,所述第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）和第三PMOS管（P3）的源极连接电源电压（VCC）,所述第一PMOS管（P1）的漏极和栅极以及第二PMOS管（P2）的栅极连接在一起，所述第二PMOS管（P2）的漏极连接第三PMOS管（P3）的栅极，所述第三PMOS管（P3）的漏极连接第五电阻（R5），所述第一电阻（R1）和第二电阻（R2）的连接点接第一NPN型三级管（Q1）的基极,所述第一NPN型三级管（Q1）的集电极接第一PMOS管（P1）的漏极，所述第一NPN型三级管（Q1）的发射极连接第三电阻（R3），所述第一NPN型三级管（Q1）的基极连接第二NPN型三级管（Q2）的基极，所述第二NPN型三级管（Q2）的集电极连接第二PMOS管（P2）的漏极，所述第二NPN型三级管（Q2）的发射极、第三电阻（R3）与第四电阻（R4）相连接，所述第三PMOS管（P3）与第五电阻（R5）连接处连接OUT输出端。

作为本实用新型的一种改进, 第一电阻（R1）和第二电阻（R2）对电源电压（VCC）分压采样，形成分压采样电压VA，第一PMOS管（P1）与第二PMOS管（P2）之间形成电压VB。