[实用新型]压力传感器

权利要求书

1.一种压力传感器，其特征在于：包括衬底结构以及顶层结构，所述顶层结构包括第一硅层、设于所述第一硅层背面的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层背面的压阻层、设于所述第一硅层正面的顶层第一下绝缘层、形成在所述顶层第一下绝缘层的正面的厚半导体材料层以及包覆所述厚半导体材料层的顶层第二下绝缘层；所述第一硅层用作压力敏感膜；所述厚半导体材料层用作岛结构；所述压阻层包括至少一个压阻；

所述衬底结构的上表面向下凹陷形成键合槽，所述厚半导体材料层键合于所述键合槽内并与所述键合槽形成间隙。

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：所述顶层结构还包括设于所述第一绝缘层背面且包覆所述压阻层的顶层上绝缘层，所述顶层上绝缘层上设置有与所述压阻层对应的导电接触孔，所述导电接触孔用于使所述压阻层部分露出于所述顶层上绝缘层；

所述压力传感器还包括对应设置在所述导电接触孔处并与所述压阻电导通的金属块。

3.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于：每个所述压阻对应设置有至少一个所述导电接触孔，每个所述导电接触孔对应设置有至少一个所述金属块。

4.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于：所述压阻设置有多个，所述压阻层还包括用于对多个所述压阻进行连接的导电连接线；

每个所述压阻或每个所述导电连接线对应设置有至少一个所述导电接触孔，每个所述导电接触孔对应设置有至少一个所述金属块。

5.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于：所述衬底结构上形成有贯穿所述衬底结构的进气口，所述进气口与所述键合槽的槽底连通。