[实用新型]一种下降法晶体生长坩埚

说明书

本实用新型公开了一种下降法晶体生长坩埚，包括坩埚本体、坩埚盖体、开设于坩埚盖体中的通孔、可升降的穿设于通孔中的升降组件；升降组件包括升降轴、连接在升降轴顶端的挡板、连接在升降轴底端的且用于阻止升降轴向上脱离通孔的阻挡件；挡板和阻挡件分别位于坩埚盖体的上下两侧；坩埚还包括开设于坩埚盖体中的且上端位于挡板下方的排气孔；升降组件处于上升位置时，挡板与排气孔沿上下方向间隔排列，坩埚内部通过排气孔与坩埚外部连通；升降组件处于下降位置时，挡板盖设于排气孔上。本实用新型一种下降法晶体生长坩埚，既能降低对坩埚抽真空的难度，又能防止晶体生长时原料中的元素向外挥发，从而保证了晶体的生长质量。

技术领域

本实用新型涉及人工晶体生长技术领域，特别涉及一种下降法晶体生长坩埚。

背景技术

下降法晶体生长技术是人工晶体生长的主要方法之一。晶体生长前，首先需要对坩埚内抽真空；晶体生长过程中，还需要保证坩埚内相对密闭，避免原料中的元素挥发耗散，以保证生长晶体的成分需求。

现有技术中，是将坩埚盖安装在坩埚上，然后整体放入单晶炉中进行抽真空、加热熔化、以及晶体生长的。坩埚盖盖紧后，生长前对坩埚内抽真空较为困难；而坩埚盖不盖紧，晶体加热时，又会导致原料中的元素挥发耗散，影响生长晶体的性能。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种下降法晶体生长坩埚，既能降低对坩埚抽真空的难度，又能防止晶体生长时原料中的元素向外挥发，从而保证了晶体的生长质量。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种下降法晶体生长坩埚，包括坩埚本体、盖设于所述坩埚本体顶部的坩埚盖体、开设于所述坩埚盖体中的通孔、可升降的穿设于所述通孔中的升降组件；

所述升降组件包括可升降的穿设于所述通孔中的升降轴、连接在所述升降轴顶端的挡板、连接在所述升降轴底端的且用于阻止所述升降轴向上脱离所述通孔的阻挡件；所述挡板和所述阻挡件分别位于所述坩埚盖体的上下两侧；

所述坩埚还包括开设于所述坩埚盖体中的且上端位于所述挡板下方的排气孔；

所述升降组件具有上升位置和下降位置：所述升降组件处于所述上升位置时，所述挡板与所述排气孔沿上下方向间隔排列，所述坩埚内部通过所述排气孔与所述坩埚外部连通；所述升降组件处于所述下降位置时，所述挡板盖设于所述排气孔上。

优选地，所述升降组件，用于在从所述坩埚外侧对所述坩埚抽真空时上升至所述上升位置；还用于在抽真空结束后在重力作用下下降至所述下降位置。

优选地，所述升降轴和所述通孔的轴心线相互平行，所述升降轴的长度大于所述通孔的长度。

优选地，所述升降轴的直径小于所述通孔的直径。

优选地，所述升降组件处于所述上升位置时，所述阻挡件抵设于所述坩埚盖体下表面，所述排气孔下端与所述阻挡件之间间隔排列。

优选地，所述升降组件处于所述下降位置时，所述挡板和所述坩埚盖体之间平面抵接或锥面抵接。

优选地，所述坩埚本体和所述坩埚盖体之间螺纹连接或螺栓连接。

优选地，所述坩埚本体和所述坩埚盖体之间柱面配合或锥面配合。

优选地，所述排气孔有多个，多个所述排气孔两两间隔排列的设于所述挡板下方。

更优选地，多个所述排气孔均沿竖直方向延伸，或从下往上沿靠近所述通孔的方向倾斜延伸。