[实用新型]电容器基膜加工用晶体控制装置

权利要求书

1.电容器基膜加工用晶体控制装置，其特征在于：包括筒体(1)，所述筒体(1)的两端内侧设有能拆卸圆形的挡板(2)，所述挡板(2)与所述筒体(1)之间设置有限位件(3)，所述挡板(2)的中部固定设置有套筒(4)，两个套筒(4)之间连接有置于所述筒体(1)内部的冷却件(5)，所述套筒(4)的内部设有导流件(6)，引导冷却水流通，一导流件(6)端部与法兰盘一(7)固定连接，另一导流件(6)端部连接有调节机构(8)，遮挡导流件(6)端口调节冷却水流量。

2.根据权利要求1所述的电容器基膜加工用晶体控制装置，其特征在于：所述冷却件(5)包括连接套(51)、连接管(52)、导热板(53)和导热块(54)，所述套筒(4)位于所述筒体(1)内部的一端连接有相通的连接套(51)，两个连接套(51)之间连接有环形分布且相通的连接管(52)，所述连接管(52)间隙之间设置有与所述筒体(1)内壁贴合的导热板(53)，所述导热板(53)的两端固定设置有导热块(54)，所述导热块(54)固定嵌于连接管(52)的内部。

3.根据权利要求2所述的电容器基膜加工用晶体控制装置，其特征在于：所述导流件(6)包括导流管(61)、轴承(62)、稳固环(63)和引导环(64)，所述套筒(4)的内部设有导流管(61)，所述导流管(61)与所述套筒(4)端部之间通过轴承(62)连接，所述导流管(61)的中部外表面固定设置有与所述套筒(4)内壁贴合的稳固环(63)，所述导流管(61)朝向所述筒体(1)的一端固定设置有引导环(64)，所述引导环(64)位于所述连接套(51)的内部。

4.根据权利要求3所述的电容器基膜加工用晶体控制装置，其特征在于：所述调节机构(8)包括三通管(81)、螺纹套(82)、螺杆(83)、旋转块(84)、密封塞(85)和法兰盘二(86)，所述三通管(81)一端与所述导流管(61)固定连接，所述三通管(81)另一端固定连接有法兰盘二(86)，所述三通管(81)背离所述导流管(61)和所述法兰盘二(86)的一端固定设置有螺纹套(82)，所述螺纹套(82)的内部螺纹连接有螺杆(83)，所述螺杆(83)的底部固定设置有与所述三通管(81)内壁贴合的密封塞(85)，所述螺杆(83)的顶部固定连接有旋转块(84)。

5.根据权利要求1所述的电容器基膜加工用晶体控制装置，其特征在于：所述限位件(3)包括螺栓一(31)、螺栓二(32)和限位环(33)，所述筒体(1)和所述挡板(2)之间设有限位环(33)，所述限位环(33)和所述筒体(1)之间通过螺栓一(31)连接，所述限位环(33)和所述挡板(2)之间通过螺栓二(32)连接，所述螺栓一(31)和所述螺栓二(32)环形分布于所述限位环(33)表面。