[实用新型]一种新型的LDO防倒灌电流电路有效

专利信息
申请号: 202120207662.1 申请日: 2021-01-26
公开(公告)号: CN214586619U 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 倪灿灿 申请(专利权)人: 灿芯半导体(上海)股份有限公司
主分类号: G05F1/571 分类号: G05F1/571
代理公司: 苏州创策知识产权代理有限公司 32322 代理人: 颜海良
地址: 201203 上海市浦东新区中国(上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 ldo 倒灌 电流 电路
【权利要求书】:

1.一种新型的LDO防倒灌电流电路,其特征在于:包括误差放大器EA、调整管MP、反馈电阻网络RA和RB、衬底电位选择电路BULK SEL以及负载电容CL和负载电阻RL;输入电压VIN与功率管MP的源极连接,功率管MP的漏极为输出电压VOUT;VOUT经反馈电阻网络RA和RB分压后得到的负反馈电压FB连接至误差放大器EA的反相输入端,误差放大器EA的同相输入端连接参考电压VREF;误差放大器EA的输出端与功率管MP的栅极连接,衬底电位选择电路BULKSEL与功率管MP的衬底连接,BULK SEL比较VIN与VOUT的大小,并输出两者中最大的电位作为衬底VPBULK的电位;误差放大器EA的电源电压为VPBULK;

衬底电位选择电路BULK SEL包括电压比较器、波形整形电路以及电平选择电路;电压比较器对输入的VIN和VOUT进行比较,经波形整形电路整形后,再由电平选择电路选择两者中的最大电位作为VPBULK输出。

2.根据权利要求1所述的一种新型的LDO防倒灌电流电路,其特征在于:所述电压比较器包括M1-M10、R1-R3,波形整形电路包括M11-M17,电平选择电路包括M18、M19和R4、R5;其中M3、M4、M5、M6、M10、M14、M15、M17、M19为NMOS管,M1、M2、M7、M8、M9、M11、M12、M13、M16、M18为PMOS管,R1-R5为电阻;M3、M4的衬底以及M5、M6、M10、M14、M15、M17、M19的源极和衬底均接地;M9、M11、M12、M13、M16的源极和衬底接输出VPBULK;电阻R1的一端接VIN,另一端接M1的源极和衬底;电阻R2的一端接VOUT,另一端接M2、M7的源极和衬底;M1、M2、M7的栅极相连并接到M1的漏极,M1的漏极再与M3的漏极相接;M2的漏极与M4、M8的漏极以及M9、M10的栅极相连;M3与M4的栅极相接到BIAS1,M5与M6的栅极相接到BIAS2,BIAS1和BIAS2为外部供给的偏置;M3的源极与M5的漏极相接,M4的源极与M6的漏极相接;M7的漏极与M8的源极、衬底相接,M8的栅极与M11和M14的栅极、M10的漏极以及电阻R3相接,电阻R3的另一端与M9的漏极相接;M11的漏极与M12和M14的漏极、M13和M15的栅极相接;M12的栅极与M13和M15的漏极以及M16、M17和M19栅极相接;M16的漏极与M17的漏极、M18的栅极相接;电阻R4的一端接VIN,另一端与M18的漏极相连;电阻R5的一端接VOUT,另一端与M19的漏极连接;M18、M19的源极和衬底相接并与输出VPBULK相连。

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