[实用新型]一种双面散热半导体IGBT管有效

专利信息
申请号: 202120214287.3 申请日: 2021-01-26
公开(公告)号: CN214313602U 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 周炳;王啸;付国振;薛芳峰 申请(专利权)人: 德兴市意发功率半导体有限公司
主分类号: H01R13/02 分类号: H01R13/02;H01R13/502;H01R13/40
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 王丽
地址: 334200 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 双面 散热 半导体 igbt
【说明书】:

实用新型公开一种双面散热半导体IGBT管,包括集电插针A、集电插针B、集电插针C和IGBT管主体,所述IGBT管主体的下端安装有集电插针A、集电插针B和集电插针C,所述集电插针A位于集电插针B的左侧,通过在该半导体IGBT管的三个集电插针顶端外部增加有一个新型的插针加固装置,该新型的插针加固装置在不影响到整个半导体IGBT管正常安装操作的基础上又能够对三个集电插针起到加固与防折断作用,三个集电插针顶端通过该新型的插针加固装置进行加固之后既不会影响到集电插针的正常弯折,又能够对集电插针的固定端起到加固作用,从而能够在安装该半导体IGBT管时可根据安装需求及时进行调整,且又不会损伤到整个半导体IGBT管。

技术领域

本实用新型属于半导体IGBT管相关技术领域,具体涉及一种双面散热半导体IGBT管。

背景技术

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大,MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小,IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域,IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上,IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。

现有的半导体IGBT管技术存在以下问题:当整个半导体IGBT管安装使用时,三个集电插针需要对应与外部的接电元件进行对接,而在安装固定集电插针时很多时候会对集电插针进行折弯,使得集电插针能够准确的与外部的接电元件进行搭接,但是集电插针较为脆弱,一旦集电插针弯折角度过大则会容易在与IGBT管主体连接处产生松动和产生折断,从而会造成整个半导体IGBT管不能够正常工作。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种双面散热半导体IGBT管,以解决上述背景技术中提出的在安装固定集电插针时很多时候会对集电插针进行折弯,使得集电插针能够准确的与外部的接电元件进行搭接,但是集电插针较为脆弱,一旦集电插针弯折角度过大则会容易在与IGBT管主体连接处产生松动和产生折断的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种双面散热半导体IGBT管,包括集电插针A、集电插针B、集电插针C和IGBT管主体,所述IGBT管主体的下端安装有集电插针A、集电插针B和集电插针C,所述集电插针A位于集电插针B的左侧,所述集电插针C位于集电插针B的右侧,所述集电插针A、集电插针B和集电插针C的上端外部套接有插针加固装置,所述IGBT管主体的后端向上贯穿有门极导电片,所述门极导电片靠近上侧中心处内部设置有固定圆孔,所述门极导电片靠近上侧左右两端外壁内部均设置有固定卡口,所述插针加固装置包括绝缘加固块、密封垫、加固与限制槽和半圆限制块,所述绝缘加固块竖向内部设置有三个等距排列的加固与限制槽,三个所述加固与限制槽分别对应套接在集电插针A、集电插针B和集电插针C的外部,所述绝缘加固块的顶端设置有密封垫,所述密封垫的顶端通过封装胶与IGBT管主体固定连接,三个所述加固与限制槽的前后两端内壁上均设置有半圆限制块。

优选的,所述集电插针A、集电插针B和集电插针C的形状大小以及结构组成均相同,所述集电插针A、集电插针B和集电插针C均与IGBT管主体电性连接。

优选的,所述门极导电片、集电插针A、集电插针B和集电插针C均采用高导电的金属制成,所述门极导电片的厚度大于集电插针A、集电插针B和集电插针C的厚度。

优选的,所述IGBT管主体可根据使用需求在前后两端外壁上粘接散热片,所述IGBT管主体的外壳采用绝缘材质制成,所述IGBT管主体的外壳的整体颜色呈黑色。

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