[实用新型]一种不导电的手机后盖镀铟膜

权利要求书

1.一种不导电的手机后盖镀铟膜，其特征在于：包括

一打底层（10），是镀于手机后盖片材表面，所述打底层（10）为ZrO₂膜，厚度介于9.5-15nm；

一调色层（20），是镀于打底层（10）的表面，所述调色层（20）包括第一TiO₂膜（21）和第一SiO₂膜（22），该第一TiO₂膜（21）膜厚度介于25-35nm，该第一SiO₂膜（22）的膜厚度介于55-65nm；

一铟层（11），是镀于第一SiO₂膜（22）的表面，该铟层（11）的厚度介于50-60nm；

一隔氧层（12），是镀于铟层（11）的表面，所述隔氧层（12）为ZrO₂膜，厚度介于10-20nm；

一保护层（13），是镀于隔氧层（12）的表面，所述保护层（13）为TiO₂膜，厚度介于15-25nm。

2.根据权利要求1所述的一种不导电的手机后盖镀铟膜，其特征在于：所述打底层（10）的厚度为10nm。

3.根据权利要求1所述的一种不导电的手机后盖镀铟膜，其特征在于：所述第一TiO₂膜（21）的厚度为31nm；第一SiO₂膜（22）的厚度为61nm。

4.根据权利要求1所述的一种不导电的手机后盖镀铟膜，其特征在于：所述铟层（11）的厚度为56 nm。

5.根据权利要求1所述的一种不导电的手机后盖镀铟膜，其特征在于：所述隔氧层（12）的厚度为15 nm。

6.根据权利要求1所述的一种不导电的手机后盖镀铟膜，其特征在于：所述保护层（13）的厚度为20 nm。