[实用新型]一种高密度半导体引线框架

权利要求书

1.一种高密度半导体引线框架，包括底座、灯珠框架和镂空边框，所述镂空边框设于灯珠框架外围，其特征在于所述底座上设有上、下两个框架区，所述框架区设有13～16行40～50列呈阵列均布的灯珠框架，同一列两个相邻的灯珠框架中心距设为2.05～2.55mm，同一行两个相邻的灯珠框架中心距设为3.4～4.2mm。

2.根据权利要求1所述的一种高密度半导体引线框架，其特征在于：所述灯珠框架包括塑胶半导体引线框架体、电镀底板和塑胶底座，所述塑胶半导体引线框架体中心设有上大下小的内锥形灯珠容纳腔，所述电镀底板与底座一体冲压成型，所述电镀底板下面设有四个L型折弯脚，该四个L型折弯脚分成两对对称设置，每对L型折弯脚的L型相向设置，所述塑胶底座底部设有四个凹槽，所述凹槽的位置与尺寸均与四个L型折弯脚的横向折弯部相匹配，所述塑胶底座设于四个L型折弯脚内，所述L型折弯脚与凹槽相卡接。

3.根据权利要求2所述的一种高密度半导体引线框架，其特征在于：所述塑胶半导体引线框架体上平面到电镀底板上平面之间的距离设为0.42～0.45mm。

4.根据权利要求3所述的一种高密度半导体引线框架，其特征在于：所述内锥形灯珠容纳腔的锥度设为18.9°～39°，所述内锥形灯珠容纳腔的横截面形状由四个呈圆周均布的大圆弧和四个呈圆周均布的小圆弧组成。

5.根据权利要求4所述的一种高密度半导体引线框架，其特征在于：所述底座与电镀底板采用C2680黄铜或SPCC冷轧碳素钢薄板及钢带。

6.根据权利要求1至5任一项所述的一种高密度半导体引线框架，其特征在于：所述底座的上、下两边沿均设有一行若干个均布的装配孔，且同一行装配孔的数量与底座上每行的灯珠框架数量一致，且位置一一对应。