[实用新型]半导体真空设备

说明书

本实用新型提供了一种半导体真空设备，包括真空箱体和与所述真空箱体盖合的盖体，所述盖体开设有用于插入温度探测器的通孔，所述盖体的内侧面固定有强化结构，且所述强化结构的设置位置对应于所述通孔的位置以封堵所述通孔，使得所述强化结构除封堵所述通孔以外的表面完全位于半导体真空设备内，故而在所述通孔中插入所述温度探测器检测所述强化结构表面的温度，即可得到半导体真空设备内部的温度，实现了准确地测量半导体真空设备内部的温度的目的，而且解决了所述盖体开设所述通孔后如果太薄将会被大气压垮的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体真空设备。

背景技术

目前，半导体元器件的生产过程涉及很多制作处理工艺，例如：蒸发、溅射、PECVD、干法刻蚀等，在有些工艺中需要用电子束、离子束和分子束等粒子对材料进行照射和轰击，这些工艺如果在大气中处理，则大气的气体分子会与这些粒子发生碰撞，大大缩短粒子的行进路程，将导致绝大多数粒子到达不了材料的表面，影响产品质量。因此，需要在真空设备营造的真空环境中完成反应，例如真空箱，真空箱通常包括一个金属结构的腔体，腔体上部盖合一个通常为石英材料制成的盖板，腔体与盖板之间，采用密封圈密封。

在半导体处理工艺中，晶圆刻蚀工艺对温度很敏感，在真空箱中使用等离子体处理晶圆时，虽然盖板和腔体都不直接接触晶圆，但是他们的温度都直接决定了腔内的等离子体的温度，即刻蚀工艺的反应温度。所以，监测盖板的温度以保证每一片晶圆都在相同的环境中进行，保证每次刻蚀工艺做出的晶圆质量保持一致，就非常重要。

因为真空箱内部为真空或温度一致的等离子体，故真空箱内的热量，只能通过真空箱的内壁面与等离子体之间的热传导进行传递。而真空箱内部的等离子体温度通常为100度以上，外部则为环境温度，即室温，故真空箱的壁面内外存在温差。所以温度探测器需要到达真空箱的内壁面，才能准确地测量到真空箱内部的温度。

目前技术中，通常是在真空箱的外壁面上钻孔，然后放置温度探测器，如温度计等，来测量真空箱内部的温度。但是，考虑到真空箱的壁体需要承受大气压的压强，故钻孔并不能钻得过深，以防止真空箱的壁体太薄而被大气压垮。所以在目前技术中，采用在盖板上钻孔，然后在钻孔中放置温度探测器的方法，所测出的温度通常会低于所述真空箱的内壁面的温度，即低于真空箱内部等离子体的温度，或刻蚀反应的温度。这对于保证不同批次的晶圆处理都在相同温度环境下进行，就非常不利。

公开号为CN103531495B的专利公开了一种半导体检测装置，其应用于半导体处理设备中，所述半导体处理设备包括反应腔体，所述反应腔体内设置有用以支撑衬底的支撑座，所述反应腔体具有腔体部件，所述支撑座设有用以定位衬底的若干腔体。所述半导体检测装置固定于所述反应腔体的腔体部件上，所述腔体部件还包括贯穿其上、下表面的若干通道，以使衬底表面的光线或者热量能够穿过通道到达腔体部件的顶面，从而在衬底沉膜过程中能够实现对衬底温度的及时检测。本实用新型还揭示了由该半导体检测装置组成的半导体检测系统及用以检测衬底温度的方法。但该实用新型所使用的半导体检测装置结构复杂，而且为防止衬底表面的光线或者热量泄漏，所述半导体检测装置密封性能要求比较高。

因此，有必要设计一种半导体真空设备以避免现有技术中存在的上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体真空设备，以克服现有技术中因为钻孔不能太接近盖体的内壁面，故温度探测器检测到温度会低于半导体真空设备内部的温度的缺陷。

为实现上述目的，本实用新型公开了一种半导体真空设备，包括真空箱体和与所述真空箱体盖合的盖体，所述盖体开设有用于插入温度探测器的通孔，所述盖体的内侧面固定有强化结构，且所述强化结构的设置位置对应于所述通孔的位置以封堵所述通孔。