[实用新型]半导体装置以及开关电源装置有效
| 申请号： | 202120269936.X | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN214753780U | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 井上征;柴田行裕;田口英正 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H02M1/00 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 开关电源 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
第一导电型的半导体基板；
第一导电型半导体层，位于所述半导体基板上；
第一第二导电型扩散层，位于所述第一导电型半导体层内的表面侧；
第二第二导电型扩散层，位于所述第一导电型半导体层内，从平面看与所述第一第二导电型扩散层接触，且包围所述第一第二导电型扩散层，并且耐压比所述第一第二导电型扩散层高；
绝缘层，位于所述第二第二导电型扩散层上以及从平面看位于所述第二第二导电型扩散层外侧的所述半导体层上；以及
金属板，位于所述第一第二导电型扩散层、所述第二第二导电型扩散层以及所述绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述第二第二导电型扩散层的杂质浓度梯度比所述第一第二导电型扩散层平缓。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述第二第二导电型扩散层的深度比所述第一第二导电型扩散层深。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述第二第二导电型扩散层的表面浓度比所述第一第二导电型扩散层高。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述第二第二导电型扩散层的表面浓度与所述第一第二导电型扩散层相同。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述第二第二导电型扩散层的深度比所述第一第二导电型扩散层浅。
7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述第二第二导电型扩散层的表面浓度比所述第一第二导电型扩散层低。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述第二第二导电型扩散层的表面浓度比所述第一第二导电型扩散层低。
9.一种半导体装置，其特征在于，包括：
第一导电型的半导体基板；
第一导电型半导体层，位于所述半导体基板上；
第二导电型扩散层，位于所述第一导电型半导体层内的表面侧；
第一导电型埋入层，位于所述第一导电型半导体层内，并且位于所述第二导电型扩散层下，并且与所述第二导电型扩散层接触，并且从平面看位于所述第二导电型扩散层的内侧，并且杂质浓度比所述第一导电型半导体层高；
绝缘层，从平面看位于所述第一导电型埋入层的外侧的所述第二导电型扩散层的端部以及所述第二导电型扩散层的端部外侧的所述半导体层上；以及
金属板，位于所述第二导电型扩散层、所述第二导电型扩散层端部以及所述绝缘层上。
10.根据权利要求1或9所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述金属板具有第一金属层以及位于所述第一金属层上的第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层电连接。
11.根据权利要求1或9所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体装置具有位于所述金属板上的焊锡。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述焊锡位于所述第一第二导电型扩散层、所述第二第二导电型扩散层以及所述绝缘层各自之上的所述金属板上。
13.根据权利要求1或9所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体装置具有：
第一引线，与所述金属板电连接；
第二引线，与所述半导体基板电连接；
树脂，密封所述第一引线和所述第二引线各自的一部分、以及密封所述半导体基板和所述金属板；以及
屏蔽膜，覆盖所述树脂的表面，
其中，所述屏蔽膜与所述第一引线以及所述第二引线中的至少一方接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新电元工业株式会社，未经新电元工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120269936.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高寿命滚动轴承热处理工艺装置
- 下一篇：一种滑翻施工装置
- 同类专利
- 专利分类
