[实用新型]一种异质结太阳能电池

说明书

本申请公开了一种异质结太阳能电池，一种异质结太阳能电池，包括硅片，镀附于所述硅片一面的本征非晶硅薄膜层、N型非晶硅/微晶硅薄膜层、透明导电层，镀附于所述硅片另一面的本征非晶硅薄膜层、P型非晶硅/微晶硅薄膜层、透明导电层，以及位于所述透明导电层上的电极，所述电极为栅线，至少部分嵌入到所述透明导电层的内部。上述异质结太阳能电池，能够提高电池填充因子，同时制作方法简单，对现有异质结电池的制程干扰有限，简便易行。

技术领域

本申请属于太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种异质结太阳能电池。

背景技术

本部分旨在为权利要求书中陈述的本实用新型的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。

标准的硅异质结电池的结构如图1所示，其制作顺序为：1)N型硅片清洗制绒；2)非晶硅沉积：等离子体增强化学的气相沉积(PECVD)法沉积本征非晶硅薄膜层(I层)与N型非晶硅薄膜层(N层)；3)非晶硅沉积：等离子体增强化学的气相沉积法沉积本征非晶硅薄膜层(I层)与P型非晶硅薄膜层(P层)；4)N面沉积透明导电层(TCO)；5)P面沉积透明导电层；6)丝网印刷银浆电极。

在传统晶硅电池中，电极材料银浆是印刷在抗反射层氮化硅上，由于氮化硅为非导电材料，丝网印刷银电极后，会利用高温烧结的方式，让银穿透到硅表面，使其导电；而在硅异质结电池中，由于钝化层是采用非晶硅，高温制程会使非晶硅表面的氢气散逸，因此，其制程温度多在200℃上下，这使得硅异质结电池不得不使用透明导电层(TCO)当作电子电动的传输层，然后在上面丝网印刷，然而硅异质结电池结构多为背场发射电极结构，对于电子的纵向结构移动电阻率有其要求，而电子纵向移动势必要经过透明导电层，透明导电层阻值约是银浆导电性的1/100，因此不可避免地损失部分填充因子FF。

实用新型内容

本申请的目的是提供一种异质结太阳能电池，通过栅线至少部分嵌入到透明导电层的内部，使电极直接接触非晶硅层，有效增加电池填充因子FF。

为实现上述目的，本申请采用以下技术方案：

一种异质结太阳能电池，包括硅片，镀附于所述硅片一面的本征非晶硅薄膜层、N型非晶硅/微晶硅薄膜层、透明导电层，镀附于所述硅片另一面的本征非晶硅薄膜层、P型非晶硅/微晶硅薄膜层、透明导电层，以及位于所述透明导电层上的电极，其所述电极为栅线，至少部分嵌入到所述透明导电层的内部。

上述异质结太阳能电池，作为一种优选实施方式，至少一面的所述透明导电层表层与部分或全部所述栅线对应的区域设有凹槽，部分或全部所述栅线嵌入所述凹槽内。

上述异质结太阳能电池，作为一种优选实施方式，所述电极包括主栅线和副栅线，在所述透明导电层表层，仅在对应于设置所述主栅线的区域设置所述凹槽。

上述异质结太阳能电池，作为一种优选实施方式，所述凹槽在垂直于所述透明导电层所在平面的横截面形状为方形或梯形，所述凹槽的最大宽度为0.5-1.2mm。

上述异质结太阳能电池，作为一种优选实施方式，所述凹槽在对应所述栅线所在区域贯穿所述透明导电层，使得所述栅线与所述N型非晶硅/微晶硅薄膜层或P型非晶硅/微晶硅薄膜层直接接触。

上述异质结太阳能电池，作为一种优选实施方式，至少一面的所述透明导电层上与至少部分栅线对应的区域设有多个且不连通的凹坑，部分或全部所述栅线嵌入所述凹坑内。

上述异质结太阳能电池，作为一种优选实施方式，所述电极包括主栅线和副栅线，在所述透明导电层表层，仅在对应于设置所述主栅线的区域设置所述凹坑。

上述异质结太阳能电池，作为一种优选实施方式，所述凹坑在对应所述栅线所在区域贯穿所述透明导电层，所述栅线与所述N型非晶硅/微晶硅薄膜层或P型非晶硅/微晶硅薄膜层直接接触。