[实用新型]一种β平面源

说明书

本实用新型公开了一种β平面源，该β平面源包括：基材托片和封堵层；基材托片的至少部分表面经过氧化，形成有氧化膜区域，氧化膜区域填充有放射性材料；封堵层用于阻止放射性材料渗出，覆盖在基材托片的氧化膜区域表面。本申请的β平面源，在使用基材托片的氧化膜区域吸附填充有放射性材料的基础上，设置封堵层，覆盖在氧化膜区域之上，以此阻止放射性材料渗出，从而提高了β平面源的使用寿命和检测效果。

技术领域

本实用新型涉及放射性平面源技术领域，特别涉及一种β平面源。

背景技术

β放射源射程短，又由于自吸收和支撑物吸收，使β粒子不能到达探测器，从而会影响探测效率。现有制作β放射源一般采用电镀法或铝氧化层微孔吸附等方法。电镀制成的β粒子放射源将含β粒子发射体的金属离子电镀于电极表面，但该方法存在弱电解质不易电镀，条件要求苛刻，工艺较为复杂的问题。而采用铝氧化层微孔吸附法需用设备简单，操作方便，成本较低，适用核素范围广。

但是现有制备的β放射源β粒子发射体吸附不牢固，容易造成放射源效果变差。

实用新型内容

鉴于现有技术β放射源β粒子发射体吸附不牢固的问题，提出了本实用新型的一种β平面源，以便克服上述问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

依据本申请的一个方面，提供了一种β平面源，该β平面源包括：基材托片和封堵层；

所述基材托片的至少部分表面经过氧化，形成有氧化膜区域；所述氧化膜区域填充有放射性材料；

所述封堵层用于阻止所述放射性材料渗出，覆盖所述基材托片的氧化膜区域。

可选地，所述基材托片为铝托片。

可选地，所述封堵层为浸泡二氧化硅凝胶后烘干形成的封堵层。

可选地，所述铝托片的氧化膜区域为多孔性氧化膜区域，所述多孔性氧化膜区域的孔径范围为40～60nm，所述多孔性氧化膜区域的厚度为1～2μm。

可选地，所述多孔性氧化膜的厚度为1.5μm。

可选地，所述铝托片通过阳极氧化形成所述氧化膜区域。

可选地，所述铝托片经过电抛光处理，平均粗糙度Ra1μm。

可选地，所述铝托片的氧化膜区域为圆形、椭圆形、三角形、矩形或正多边形。

可选地，所述铝托片的氧化膜区域为圆形，直径为10-50mm。

可选地，所述铝托片的圆形氧化膜区域的直径为10mm、20mm或50mm。

综上所述，本申请的有益效果是：

本申请的β平面源，包括基材托片、放射性材料和封堵层，基材托片的至少部分表面经过氧化，形成有氧化膜区域，吸附填充有放射性材料，在该氧化膜区域之上，设置有封堵层，通过覆盖基材托片的氧化膜区域来阻止放射性材料渗出，从而可以提高β平面源的使用寿命和检测效果。

附图说明

图1为本申请一个实施例提供的一种β平面源的结构示意图；

图中，100、基材托片；110、氧化膜区域；200、封堵层。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。