[实用新型]一种新型欠压保护电路模块

说明书

一种新型欠压保护电路模块，MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M9的源极连接在VDD上，双极性晶体管Q1、双极性晶体管Q2的基极相连且与MOS管M2的漏接连接，双极性晶体管Q2的发射极连接VSS连接电阻R1一端，电阻R2的前端连接VDD、后端连接MOS管M5的漏极，MOS管M6的源极接VSS、栅极连接MOS管M2的漏极、漏极接电阻R2的后端，MOS管M7的源极连接电阻R3的前端、漏极接电阻R2的后端、栅极与漏极相连，MOS管M8的源极接VSS、漏极接电阻R3的前端、栅极接欠压保护输出端。本电路模块可靠性好。

技术领域

本实用新型涉及电子电路，特别涉及一种新型欠压保护电路模块，属于电子电路技术领域。

背景技术

欠压保护电路是芯片和器件正常工作时的常用电路模块，传统的欠压保护电路电路结构和原理都比较简单，但是都需要带隙基准源和电压比较器。其缺点在于：当系统电源电压较低时，电压比较器由于偏置电流较小，很难保证能够正常工作，同时带隙基准源也不能保证能够正常启动和运行，这将极大的影响系统的可靠性，还有电压比较器会使电路的功耗较大。

发明内容

本实用新型的目的在于克服目前的欠压保护电路中存在的上述问题，提供一种新型欠压保护电路模块。

为实现本实用新型的目的，采用了下述的技术方案：一种新型欠压保护电路模块，包括多个MOS管， MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M9的源极连接在VDD上，MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3的栅极相连，MOS管M3的漏极与栅极相连、MOS管M1的漏极与栅极相连，偏置电流加在MOS管M1的漏极上，双极性晶体管Q1、双极性晶体管Q2的基极相连且与MOS管M2的漏接连接，双极性晶体管Q1的集电极连接在MOS管M2的漏极上，双极性晶体管Q1的发射极连接VSS，双极性晶体管Q2的集电极连接MOS管M3的漏极，双极性晶体管Q2的发射极连接电阻R1一端，电阻R1另一端接VSS，MOS管M4的漏极与MOS管M3的漏极相连，MOS管M4的源极接VSS，电阻R2的前端连接VDD；电阻R2的后端连接MOS管M5的漏极，MOS管M5的漏极与栅极相连，MOS管M5的源极接VSS，MOS管M6的源极接VSS、栅极连接MOS管M2的漏极、漏极接电阻R2的后端，MOS管M7的源极连接电阻R3的前端、漏极接电阻R2的后端、栅极与漏极相连，电阻R3的后端接VSS，MOS管M8的源极接VSS、漏极接电阻R3的前端、栅极接欠压保护输出端，MOS管M9漏极接反相器前端、栅极接电阻R2后端，反相器后端为欠压保护输出端，MOS管M10的栅极接MOS管M2的漏极，其中MOS管1、MOS管2、MOS管3、MOS管9是PMOS,其余MOS管为NMOS，双极性晶体管都为npn型。

进一步的；所述的双极性晶体管Q1、双极性晶体管Q2的发射结面积比为1:8。

本实用新型的积极有益技术效果在于：本电路模块采用无外来基准源和电压比较器机构，有效的避免了传统欠压保护电路在低压情况下的可靠性问题，同时由于不需要外来基准源和电压比较器，电路的功耗可以做到更小。

附图说明

图1是本模块的电路图。

图2是本电路模块的欠压保护瞬态特性曲线。

图3是本电路模块的回差电压曲线。

具体实施方式

为了更充分的解释本实用新型的实施，提供本实用新型的实施实例。这些实施实例仅仅是对本实用新型的阐述，不限制本实用新型的范围。