[实用新型]一种晶体生长装置有效

专利信息
申请号: 202120299367.3 申请日: 2021-02-03
公开(公告)号: CN214458434U 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 史艳磊;孙聂枫;王书杰;刘惠生;孙同年;付莉杰;赵红飞;李亚旗;邵会民;康永;张晓丹;张鑫;姜剑;王阳;李晓岚;薛静 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B15/20
代理公司: 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 代理人: 聂旭中
地址: 050000 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶体生长 装置
【权利要求书】:

1.一种晶体生长装置,包括炉体(19),置于炉体(19)底部的坩埚(18)及加热保温系统,正对坩埚(18)中心的晶体提拉机构,置于炉体(19)侧面的石英观察窗(11),所述加热保温系统包括加热器(7)、坩埚杆(12)、保温套(13),所述晶体提拉机构包括籽晶杆(3),籽晶夹头(2),其特征在于,所述装置还包括可升降式加热罩机构,所述可升降式加热罩机构包括加热罩体(8)、加热罩支撑部件(9)、设置在加热罩体(8)四周的加热丝(14)、加热罩升降机构(10),加热罩体(8)内部设置热偶(21)。

2.根据权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于,所述加热罩体(8)顶部为圆锥形,下面为圆柱形,采用透明材料,其圆柱形外径小于坩埚(18)的内径。

3.根据权利要求1或2所述的晶体生长装置,其特征在于,所述加热罩体(8)顶部为多层中空结构。

4.根据权利要求1或2所述的晶体生长装置,其特征在于,所述籽晶杆(3)穿过所述加热罩体(8),加热罩升降机构(10)驱动可升降式加热罩机构沿籽晶杆(3)上下移动。

5.根据权利要求4所述的晶体生长装置,其特征在于,所述籽晶杆(3)与加热罩体(8)顶部之间缝隙不超过2mm。

6.根据权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于,所述可升降式加热罩机构内部还设置气源盒(17)。

7.根据权利要求6所述的晶体生长装置,其特征在于,所述气源盒(17)使用气源盒固定销钉(15)定位在加热罩体(8)的内部上端。

8.根据权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于,设置加热丝(14)的开始位置是从加热罩体(8)底部向上,大于加热罩体(8)长度的1/6处。

9.根据权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于,所述加热罩体(8)外围从底部开始设置深度标线。

10.根据权利要求9所述的晶体生长装置,其特征在于,可升降式加热罩机构下降后,所述石英观察窗(11)对准设置的标线。

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