[实用新型]一种晶体生长装置

权利要求书

1.一种晶体生长装置，包括炉体（19），置于炉体（19）底部的坩埚（18）及加热保温系统，正对坩埚（18）中心的晶体提拉机构，置于炉体（19）侧面的石英观察窗（11），所述加热保温系统包括加热器（7）、坩埚杆（12）、保温套（13），所述晶体提拉机构包括籽晶杆（3），籽晶夹头（2），其特征在于，所述装置还包括可升降式加热罩机构，所述可升降式加热罩机构包括加热罩体（8）、加热罩支撑部件（9）、设置在加热罩体（8）四周的加热丝（14）、加热罩升降机构（10），加热罩体（8）内部设置热偶（21）。

2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述加热罩体（8）顶部为圆锥形，下面为圆柱形，采用透明材料，其圆柱形外径小于坩埚（18）的内径。

3.根据权利要求1或2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述加热罩体（8）顶部为多层中空结构。

4.根据权利要求1或2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述籽晶杆（3）穿过所述加热罩体（8），加热罩升降机构（10）驱动可升降式加热罩机构沿籽晶杆（3）上下移动。

5.根据权利要求4所述的晶体生长装置，其特征在于，所述籽晶杆（3）与加热罩体（8）顶部之间缝隙不超过2mm。

6.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述可升降式加热罩机构内部还设置气源盒（17）。

7.根据权利要求6所述的晶体生长装置，其特征在于，所述气源盒（17）使用气源盒固定销钉（15）定位在加热罩体（8）的内部上端。

8.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，设置加热丝（14）的开始位置是从加热罩体（8）底部向上，大于加热罩体（8）长度的1/6处。

9.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述加热罩体（8）外围从底部开始设置深度标线。

10.根据权利要求9所述的晶体生长装置，其特征在于，可升降式加热罩机构下降后，所述石英观察窗（11）对准设置的标线。