[实用新型]基于组合式开关管的功率放大电路、全固态射频电源有效
申请号: | 202120301075.9 | 申请日: | 2021-02-02 |
公开(公告)号: | CN214315207U | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 谭平平 | 申请(专利权)人: | 湖南纳雷科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/56 | 分类号: | H03F1/56;H03F3/19;H03F3/21 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 胡君 |
地址: | 410205 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 组合式 开关 功率 放大 电路 固态 射频 电源 | ||
1.一种基于组合式开关管的功率放大电路,其特征在于:所述功率放大电路中开关管为一个以上的组合式开关模块(1),所述组合式开关模块(1)包括至少一个GaN开关管(11)以及至少一个MOS开关管(12),各所述GaN开关管(11)与各所述MOS开关管(12)串联连接,所述MOS开关管(12)与用于驱动开关管开断的驱动电路(2)连接。
2.根据权利要求1所述的基于组合式开关管的功率放大电路,其特征在于:所述GaN开关管(11)的源级与所述MOS开关管(12)的漏极连接,所述GaN开关管(11)的栅极与所述MOS开关管(12)的源极连接,所述MOS开关管(12)的栅极与所述驱动电路(2)连接。
3.根据权利要求1所述的基于组合式开关管的功率放大电路,其特征在于:所述GaN开关管(11)的两端还并联连接有旁路开关,通过所述旁路开关控制所述GaN开关管(11)的接入。
4.根据权利要求1所述的基于组合式开关管的功率放大电路,其特征在于:所述组合式开关模块(1)的输入/或输出端还设置有控制开关,以控制各所述组合式开关模块(1)的接入。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的基于组合式开关管的功率放大电路,其特征在于:还包括一个以上的TVS管,所述TVS管与所述组合式开关模块(1)并联连接。
6.根据权利要求1~4中任意一项所述的基于组合式开关管的功率放大电路,其特征在于:所述GaN开关管(11)、所述MOS开关管(12)封装为一体。
7.根据权利要求1~4中任意一项所述的基于组合式开关管的功率放大电路,其特征在于:所述功率放大电路为E类拓扑结构、半桥式拓扑结构、全桥式拓扑结构。
8.一种全固态射频电源,包括用于提供直流电源的直流电源模块、用于控制产生射频信号的控制电路、以及用于将所述控制电路产生的射频信号进行放大的功率放大电路,所述直流电源模块、控制电路、功率放大电路相互连接,其特征在于:所述功率放大电路为如权利要求1~7中任意一项所述的基于组合式开关管的功率放大电路。
9.根据权利要求8所述的全固态射频电源,其特征在于:所述功率放大电路与所述控制电路之间还设置有光耦隔离电路。
10.根据权利要求8或9所述的全固态射频电源,其特征在于:所述功率放大电路的输出端还连接有阻抗匹配网络电路,以用于阻抗匹配。
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