[实用新型]芯片封装组件有效

专利信息
申请号: 202120306919.9 申请日: 2021-02-03
公开(公告)号: CN215299234U 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: G·里法伊-艾哈迈德;S·瑞玛林嘉;J·S·甘地;C-W·张 申请(专利权)人: 赛灵思公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L25/18;H01L23/31
代理公司: 北京市君合律师事务所 11517 代理人: 毛健;顾云峰
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 组件
【权利要求书】:

1.一种芯片封装组件,其特征在于,所述芯片封装组件包括:

基板,所述基板具有第一表面和相对的第二表面;

第一集成电路晶粒,所述第一集成电路晶粒具有第一表面、相对的第二表面和四个侧部,所述第一集成电路晶粒的第二表面安装至所述基板的第一表面;以及

多个电浮式传导性热转移结构,所述多个电浮式传导性热转移结构延伸在所述第一集成电路晶粒的第一表面和第二表面之间所定义的第一方向上,所述多个电浮式传导性热转移结构中的第一传导性热转移结构为第一传导性热转移路径的一部分,所述第一传导性热转移路径在所述第一方向上的长度至少与所述第一表面和所述第二表面之间的距离一样。

2.如权利要求1所述的芯片封装组件,其特征在于,所述第一集成电路晶粒进一步包括:

第一孔,所述第一孔延伸在所述第一集成电路晶粒的第一表面和第二表面之间而开口,所述第一传导性热转移结构布置为穿过所述第一孔。

3.如权利要求2所述的芯片封装组件,其特征在于,所述芯片封装组件进一步包括:

罩盖,所述罩盖布置在所述第一集成电路晶粒上,所述多个传导性热转移结构中的至少一个传导性热转移结构延伸跨越在所述罩盖和所述第一集成电路晶粒之间所定义的空间;以及

介电填料,所述介电填料布置在所述多个传导性热转移结构之间,所述介电填料大致填充所述空间。

4.如权利要求2所述的芯片封装组件,其特征在于,所述芯片封装组件进一步包括:

第二集成电路晶粒,所述第二集成电路晶粒具有第一表面和相对的第二表面,所述第二集成电路晶粒的第二表面安装在所述第一集成电路晶粒的第一表面上,所述第二集成电路晶粒还包括第二孔,所述第二孔延伸在所述第二集成电路晶粒的第一表面和第二表面之间而开口,所述第一传导性热转移路径定义为穿过所述第一孔和所述第二孔。

5.如权利要求4所述的芯片封装组件,其特征在于,所述第一传导性热转移结构通过所述第一孔和所述第二孔。

6.如权利要求4所述的芯片封装组件,其特征在于,所述第二集成电路晶粒的第一表面进一步包括:

凹部,所述凹部沿着至少一个边缘形成;以及

传导性部件,所述传导性部件布置在所述凹部中,且至少连接到所述第一传导性热转移结构。

7.如权利要求2所述的芯片封装组件,其特征在于,所述芯片封装组件进一步包括:

第二集成电路晶粒,所述第二集成电路晶粒具有第一表面和相对的第二表面,所述第二集成电路晶粒的第二表面安装在所述第一集成电路晶粒的第一表面上方;以及

第一金属层,所述第一金属层布置为接触所述第一传导性热转移结构,且延伸出所述第一集成电路晶粒和所述第二集成电路晶粒之间。

8.如权利要求7所述的芯片封装组件,其特征在于,所述芯片封装组件进一步包括:

第三集成电路晶粒,所述第三集成电路晶粒具有第一表面和相对的第二表面,所述第三集成电路晶粒的第二表面安装在所述第二集成电路晶粒的第一表面上方;以及

第二金属层,所述第二金属层布置为接触所述第一传导性热转移结构,且延伸出所述第二集成电路晶粒和所述第三集成电路晶粒之间。

9.如权利要求8所述的芯片封装组件,其特征在于,所述芯片封装组件进一步包括:

第二热转移结构,所述第二热转移结构将所述第一金属层耦合到所述第二金属层。

10.如权利要求9所述的芯片封装组件,其特征在于,所述第三集成电路晶粒的第一表面还包括:

凹部,所述凹部沿着至少一个边缘形成;以及

传导性部件,所述传导性部件布置在所述凹部中,且通过第三热转移结构连接到所述第一传导性热转移结构和所述第二金属层。

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