[实用新型]基因测序传感装置有效

专利信息
申请号: 202120308404.2 申请日: 2021-02-03
公开(公告)号: CN215404243U 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 王贤超;洪秉宙;崔皓辰 申请(专利权)人: 上海芯像生物科技有限公司
主分类号: C12M1/36 分类号: C12M1/36;C12M1/34;C12M1/00;H04N5/374
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 竹民
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 基因 传感 装置
【权利要求书】:

1.基因测序传感装置,其包括:

一个CMOS图像传感器,其表面处理成适合承载流体状样本,包括一个CMOS像素阵列,用于接受并检测所述样本发出的光信号,并产生相应的检测信号输出;

其特征在于,所述CMOS像素为双转换增益像素,具备两个不同的转换增益,包括一个高转换增益HiCG和一个低转换增益LoCG,所述CMOS像素可以分别在所述高转换增益模式和所述低转换增益模式下工作,并产生相应的检测信号,

所述双转换增益像素包括:一个光电转换器件,用于接受样本发出的光信号,并将其转换成电信号;一个传输晶体管,连接所述光电转换器件和一个浮动扩散,用于将所述光电转换器件产生的电信号传输至所述浮动扩散;一个复位晶体管,连接所述浮动扩散,用于使所述浮动扩散复位;一个输出晶体管,将所述浮动扩散的电信号放大;一个双转换增益器件,连接所述浮动扩散;一个行选择晶体管,用于控制像素检测信号的输出。

2.如权利要求1所述的基因测序传感装置,其特征在于,所述双转换增益器件包括一个MOS晶体管,其漏极连接所述浮动扩散,其源极连接一个电容,其栅极受一个DCG信号控制,当所述MOS晶体管在DCG信号控制下导通时,所述像素工作于低转换增益模式下,当所述MOS晶体管在DCG信号控制下关闭时,所述像素工作于高转换增益模式下。

3.如权利要求1所述的基因测序传感装置,其特征在于,所述双转换增益器件包括一个NMOS晶体管,其栅极连接所述浮动扩散,其源极和漏极共同受一个DCG信号控制,当所述DCG信号为高电平时,所述像素工作于低转换增益模式下,当所述MOS晶体管在DCG信号控制下关闭时,所述像素工作于高转换增益模式下。

4.如权利要求1所述的基因测序传感装置,其特征在于,所述光电转换器件包括一个光电二极管。

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