[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 202120310944.4 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN214477522U | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 白龙贤;姜志勳;金材宪;朴志焄 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/24;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 习瑞恒;全振永 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
n型氮化物半导体层；
V形坑生成层，位于所述n型氮化物半导体层的上部并具有V形坑；
活性层，位于所述V形坑生成层上；以及
p型氮化物半导体层，位于所述活性层上，
其中，所述活性层包括阱层，所述阱层具有沿所述V形坑生成层的平坦的面形成的第一阱层部分以及在所述V形坑生成层的V形坑内形成的第二阱层部分，
所述发光二极管在单芯片级别发出至少两个峰值波长的光。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
所述第一阱层部分发出第一峰值波长的光，所述第二阱层部分发出至少一个第二峰值波长的光。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，
所述第一阱层部分发出黄色系列的峰值波长的光，
所述第二阱层部分发出蓝色系列的峰值波长的光。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，
所述第一阱层部分发出黄色系列的峰值波长的光，
所述第二阱层部分发出蓝色系列的峰值波长的光及绿色系列的峰值波长的光。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
所述第一阱层部分具有比所述第二阱层部分更多的In含量。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，
所述第一阱层部分比所述第二阱层部分更厚。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
p型AlxGa1-xN层，夹设于所述活性层与所述p型氮化物半导体层之间，
其中，所述p型AlxGa1-xN层内的Al的组成比x大于0且小于0.3。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，
所述p型AlxGa1-xN层具有小于100nm的厚度。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
所述V形坑生成层具有大于450nm的厚度。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，
形成于所述V形坑生成层的V形坑包括入口宽度大于230nm的V形坑。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
所述活性层具有包括多个阱层及多个阻挡层的多量子阱结构，
在所述阱层与阻挡层之间还包括覆盖所述阱层的覆盖层。
12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，
所述覆盖层利用AlGaN或AlInGaN形成。
13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
所述p型氮化物半导体层包括位于所述V形坑上的凹陷部。
14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
所述活性层与所述V形坑生成层接触。
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