[实用新型]一种基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构

权利要求书

1.一种基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：包括金属基底层，设置在金属基底层上的粘接层，在粘接层上的设置第一绝缘层，在第一绝缘层上设置隔离层，在隔离层上设置第二绝缘层，在第二绝缘层上设置的传感器电路层。

2.根据权利要求1所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述粘接层为在金属基底上淀积的厚5～50nm的金属钛层。

3.根据权利要求1所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述第二绝缘层和传感器电路层上设置保护层。

4.根据权利要求1所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述第一绝缘层为通过电子束蒸发在粘接层上淀积的厚0.2～5 um的氧化铝层。

5.根据权利要求1所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述隔离层为通过原子层堆积在第一绝缘层上淀积的厚10～500 nm 的氧化铝层。

6.根据权利要求1所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述第二绝缘层为通过电子束蒸发在隔离层上淀积的厚0.2～5 um的氧化铝层。

7.根据权利要求3所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述保护层包括第一保护层，第一保护层为通过电子束蒸发在第二绝缘层上淀积的厚0.2～5um的氧化铝层，第一保护层不覆盖传感器电路层的焊盘。

8.根据权利要求7所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述保护层还包括第二保护层，第二保护层为通过原子层堆积在第一保护层上淀积的厚10～500 nm的氧化铝层，第二保护层不覆盖传感器电路层的焊盘。

9.根据权利要求8所述的基于金属基底的薄膜传感器的绝缘层结构，其特征在于：所述保护层还包括第三保护层，第三保护层为通过电子束蒸发在第二保护层上淀积的厚0.2～5um的氧化铝层，第三保护层不覆盖传感器电路层的焊盘。