[实用新型]一种光伏电池片以及光伏电池串有效
申请号: | 202120321558.5 | 申请日: | 2021-02-04 |
公开(公告)号: | CN214123888U | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 苏州三熙智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/05;H01L21/78;H01L31/18 |
代理公司: | 上海远同律师事务所 31307 | 代理人: | 张坚 |
地址: | 215021 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 以及 | ||
本实用新型提供了一种光伏电池片,所述光伏电池片包括至少一个切割面,所述切割面上设有绝缘层。本实用新型还提供了一种光伏电池串,包括多个相邻布置且依次串接的上述光伏电池片,所述切割面为两个所述光伏电池片的相邻表面。通过设置绝缘层,可以降低光伏电池片在组串使用中发生漏电或短路的机会,提高光伏电池片使用的安全性和可靠性。
技术领域
本实用新型涉及光伏、电子和半导体领域,尤其涉及一种光伏电池片以及光伏电池串。
背景技术
随着光伏行业技术迭代,目前的大部分光伏电池片需要使用激光切割工艺将整张光伏电池片切割成半片、三分片或更多等分的光伏电池片,但激光切割工艺后的等分光伏电池片在切割面处没有做绝缘处理,在串焊生产过程中,焊带及焊锡有可能接触到切割后的切割面,切割面裸露材质硅晶体是半导体,因此在切割面处有漏电或短路的风险。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种不易发生漏电或短路风险的光伏电池片。
本实用新型通过如下方式解决该技术问题:
一种光伏电池片,所述光伏电池片包括至少一个切割面,其特征在于:所述切割面上设有绝缘层。
通过设置绝缘层,来避免发生漏电或短路。
作为本实用新型的一种优选实施方式,所述绝缘层的材质为氧化铝或氧化硅。
作为本实用新型的一种优选实施方式,所述光伏电池片由一张完整的光伏电池片等分激光切割获得。
作为本实用新型的一种优选实施方式,所述光伏电池片的尺寸为一张完整光伏电池片的1/N,所述N为2到8之间的整数。
作为本实用新型的一种优选实施方式,所述光伏电池片包括一个正极表面和一个负极表面。
作为本实用新型的一种优选实施方式,所述光伏电池片为N型或P型。
本实用新型还提供了一种不易发生漏电或短路风险的光伏电池串,包括多个上述的光伏电池片,多个所述光伏电池片相邻布置且依次串接,带有所述绝缘层的所述切割面为两个所述光伏电池片的相邻表面。该绝缘层能够避免光伏电池片和焊带或焊锡接触导致漏电和短路,提高了光伏电池串的使用可靠性和安全性。
作为本实用新型的一种优选实施方式,前一个所述光伏电池片的正极表面与后一个相邻所述光伏电池片的负极表面通过焊带串接。
本实用新型的积极进步效果在于:通过设置绝缘层,来降低光伏电池片在组串使用中发生漏电或短路的机会,提高光伏电池串使用的安全性和可靠性。
附图说明
下面结合附图来对本实用新型进行进一步的说明:
图1为本光伏电池串结构的剖视图;
图2为光伏电池片的立体图;
图3为光伏电池片的侧视图;
图4为光伏电池片的侧视图;
图5为氧化铝喷涂工艺的示意图;
其中:100-光伏电池片,110-切割面,120-正极表面,130-负极表面,200-焊带,300-绝缘层,400-盖板。
具体实施方式
以下通过具体实施例来对本实用新型进行进一步阐述:
如图2至图4所示,一种光伏电池片100,该光伏电池片100为P型或N型,包括一个正极表面120和一个负极表面130。
该光伏电池片100由整张电池片激光等分切割获得,每张光伏电池片100的尺寸为整张电池片尺寸的1/2-1/8。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州三熙智能科技有限公司,未经苏州三熙智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120321558.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种超声波雾化器的水位监测装置
- 下一篇:一种槽型光电传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的