[实用新型]一种基于TO-220封装的多线径焊接功率器件有效
申请号: | 202120322050.7 | 申请日: | 2021-02-04 |
公开(公告)号: | CN214254408U | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 苏健泉;戴威亮;辜燕梅 | 申请(专利权)人: | 广州飞虹微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 广州凯东知识产权代理有限公司 44259 | 代理人: | 姚迎新 |
地址: | 510000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 to 220 封装 多线径 焊接 功率 器件 | ||
本实用新型公开了一种基于TO‑220封装的多线径焊接功率器件,包括框架,所述框架上设置有芯片装载部和MOS管压焊接头;所述芯片装载部上装载有芯片;所述MOS管压焊接头包括S极压焊头、D极压焊头和G极压焊头;所述S极压焊头分别通过第一焊线、第二焊线和第三焊线与芯片焊接;所述G极压焊头通过第四焊线与芯片焊接;所述第一焊线、第二焊线、第三焊线和第四焊线的宽度均为20MIL;本实用新型通过设置第一焊线、第二焊线和第三焊线提高了TO‑220MOS管封装中S极压焊头的焊线数量,同时,TO‑220封装MOS管S极与芯片之间可以焊接20MIL的焊线,从而提升了产品的过电流能力,进一步提升了产品功率,有利于提高产品的良品率。
技术领域
本实用新型涉及芯片封装技术领域,特别地是一种基于TO-220封装的多线径焊接功率器件。
背景技术
现有的TO-220多线径焊接功率器件的框架无法焊下3根15MIL铝线或2根20MIL铝线;现有的焊接工艺中:焊3根15MIL铝线或2根20MIL铝线工艺不稳定,导致产品的过电流能力不足,产品良品率不高;需要提供一种新型的TO-220框架以克服现有技术的不足。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种结构简单,有效提升产品的过电流能力,产品良品率高的多线径焊接功率器件。
本实用新型通过以下技术方案实现的:
一种基于TO-220封装的多线径焊接功率器件,包括框架,其中:所述框架上设置有芯片装载部和MOS管压焊接头;所述芯片装载部上装载有芯片;所述MOS管压焊接头包括S极压焊头、D极压焊头和G极压焊头;所述S极压焊头分别通过第一焊线、第二焊线和第三焊线与芯片焊接;所述G极压焊头通过第四焊线与芯片焊接。
进一步地,所述第一焊线、第二焊线、第三焊线和第四焊线的宽度均为20MIL。
进一步地,所述第一焊线、第二焊线、第三焊线和第四焊线均为铝线。
进一步地,所述框架上设置有多个长圆形孔。
进一步地,所述框架的厚度为0.5mm。
进一步地,所述框架的长度为228mm,宽度为30.3mm。
本实用新型的有益效果:
本实用新型通过设置第一焊线、第二焊线和第三焊线提高了TO-220MOS管封装中S极压焊头的焊线数量,同时,TO-220封装MOS管S极与芯片之间可以焊接20MIL的焊线,从而提升了产品的过电流能力,进一步提升了产品功率,有利于提高产品的良品率。将框架的厚度增加至0.5mm以上,有效提高了框架的刚性和硬度,减少产品在作业过程容易变形异常,进一步提高了产品的良品率。
附图说明
图1是本实用新型实施例基于TO-220封装的多线径焊接功率器件的整体结构示意图;
图2是本实用新型实施例基于TO-220封装的多线径焊接功率器件的侧面结构示意图;
图3是图1的A部放大示意图;
图4是现有技术中TO-220封装的多线径焊接功率器件的整体结构示意图;
图5是图4的B部放大示意图。
附图中:1-框架;2-芯片装载部;3-MOS管压焊接头;4-第一焊线;5-第二焊线;6-第三焊线;7-第四焊线;11-长圆形孔;31-S极压焊头;32-D极压焊头;33-G极压焊头。
具体实施方式
下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本实用新型,在此以本实用新型的示意下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本实用新型,在此以本实用新型的示意性实施例及说明用来解释本实用新型,但并不作为对本实用新型的限定。
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