[实用新型]一种ONO制程的Splt-Gate MOSFET芯片有效
| 申请号： | 202120330680.9 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN214753773U | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;薛涛 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 淄博川诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 37275 | 代理人： | 高鹏飞 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ono splt gate mosfet 芯片 | ||
1.一种ONO制程的Splt-Gate MOSFET芯片,包括N+衬底(1)和N-外延(2)，N-外延(2)内设有有源区沟槽(14)及终止区沟槽(15)；其特征在于：所述有源区沟槽(14)内壁设有第一氧化层(3)、氮化硅层(16)、第二氧化层(17)以及第一多晶硅(4)，所述第一多晶硅(4)上有第三氧化层(18)，第三氧化层(18)上填充第二多晶硅(5)，第二多晶硅(5)外层沟槽壁上设有栅氧层(8)；所述终止区沟槽(15)内壁设有第一氧化层(3)、氮化硅层(16)、第二氧化层(17)以及第一多晶硅(4)，所述第一多晶硅(4)上有第三氧化层(18)，所述第三氧化层(18)上沟槽壁设有栅氧层(8)，栅氧层(8)外壁填充有第二多晶硅(5)，第二多晶硅(5)在沟槽中间部分形成内凹。
2.根据权利要求1所述的一种ONO制程的Splt-Gate MOSFET芯片,其特征在于：还包括位于N-外延(2)源区和终止区的高温激活的P区(6)，所述P区(6)上层为N区(7)，其中，所述N区(7)通过光刻在P区(6)并高温激活，还包括制作在N区(7)上的ILD厚氧化层(10)。
3.根据权利要求2所述的一种ONO制程的Splt-Gate MOSFET芯片,其特征在于：所述ILD厚氧化层(10)中开有接触孔(9)，有源区接触孔(9)穿透ILD厚氧化层(10)及N区(7)到达P区(6)，终止区接触孔(9)穿透ILD厚氧化层(10)及栅氧层(8)到达第一多晶硅(4)，接触孔(9)中植入钨塞；所述ILD厚氧化层(10)上依次设置有顶部金属层(11)和钝化层(12)。
4.根据权利要求2所述的一种ONO制程的Splt-Gate MOSFET芯片,其特征在于：所述ILD厚氧化层(10)、顶部金属层(11)、钝化层(12)在终止区沟槽(15)处自然内凹。
5.根据权利要求1所述的一种ONO制程的Splt-Gate MOSFET芯片,其特征在于：所述N+衬底(1)区底部有底部金属层(13)；且所述有源区沟槽(14)内的第一多晶硅(4)与终止区的第一多晶硅(4)为相互连接，所述终止区沟槽(15)设计穿插到有源区中，可减少大面积芯片第一多晶硅(4)接通电流的时间。
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