[实用新型]一种宽范围调压控制系统

权利要求书

1.一种宽范围调压控制系统，包括高压发生器、正/负高压控制电路、交流耦合1/整流滤波1、交流耦合2/整流滤波2、正高压调压单元、直流分量控制单元；其特征在于，高压发生器中的高压变压器高压绕组分别与交流耦合1/整流滤波1和交流耦合2/整流滤波2连接，正/负高压控制电路分别与直流分量控制单元和正高压调压单元连接，交流耦合整流滤波与正高压调压单元连接，交流耦合整流滤波与直流分量控制单元连接，交流耦合整流滤波与正高压调压单元在正/负高压输出端连接，正/负高压输出端通过电压反馈电路与正/负高压控制电路连接。

2.根据权利要求1所述的一种宽范围调压控制系统，其特征在于，所述交流耦合1/整流滤波1包含2个电容C1-1、C1-2，2个二极管D1-1、D1-2，1个电阻R1-1，1个稳压二极管ZD1-1；电容C1-1的一端接高压发生器的变压器输出绕组一端，电容C1-1的另一端接二极管D1-1的阴极和二极管D1-2的阳极，二极管D1-1的阳极接地，二极管D1-2的阴极接电阻R1-1一端，电阻R1-1另一端接电容C1-2和稳压二极管ZD1-1的阴极，电容C1-2的另一端接地，稳压二极管ZD1-1阳极接地，稳压二极管ZD1-1的阴极接正高压调压单元输入。

3.根据权利要求1所述的一种宽范围调压控制系统，其特征在于，所述交流耦合2/整流滤波2包含3个电容C2-1、C2-2、C2-3，2个二极管D2-1和D2-2；电容C2-1一端接高压发生器的变压器输出绕组一端，电容C2-1另一端接二极管D2-1的阳极和二极管D2-2的阴极，二极管D2-1的阴极接电容C2-2的一端，电容C2-2另一端接地，二极管D2-2的阳极接C2-3的一端，电容C2-3的另一端接地，二极管D2-2的阳极接正/负高压输出端。

4.根据权利要求1所述的一种宽范围调压控制系统，其特征在于，所述正高压调压单元包含1个稳压二极管ZD1-2，1个电阻R1-2，1个光电耦合器U1-1，一个以上PNP晶体管Q3，一个以上电阻R3，稳压二极管ZD1-2阴极接正负高压控制电路输出端，稳压二极管ZD1-2阳极接电阻R1-2一端，电阻R1-2另一端接光电耦合器U1-1的二极管阳极，光电耦合器U1-1的二极管阴极接地，光电耦合器集电极接交流耦合整流滤波电路，同时光电耦合器的集电极接晶体管Q3-1的发射极，光电耦合器的发射极接晶体管Q3-1的基极，晶体管Q3-1的集电极接晶体管Q3-2的发射极，电阻R3-1两端分别接晶体管Q3-1和晶体管Q3-2的基极，晶体管的基极和集电极分别对接不同的电阻，且晶体管和电阻间隔设置，位于尾端的晶体管连接正/负高压输出端。

5.根据权利要求1所述的一种宽范围调压控制系统，其特征在于，所述直流分量控制单元包含1个PNP晶体管Q2-1，1个NPN晶体管Q2-2，4个电阻R2-1、R2-2、R2-3、R2-4，一个以上PNP晶体管Q4，一个以上电阻R4；电阻R2-1一端连接正负高压控制电路输出端，电阻R2-1另一端晶体管Q2-1的基极，电阻R2-2一端接基准电压+Vref，电阻R2-2另一端接晶体管Q2-1的基极，晶体管Q2-1的发射极接基准电压+Vref，晶体管Q2-1的集电极接电阻R2-3的一端，电阻R2-3的另一端接晶体管Q2-2的基极，电阻R2-4一端接晶体管Q2-2的基极，电阻R2-4的另一端接地，晶体管Q2-2的发射极接地，晶体管Q2-2的集电极接晶体管Q4-1的基极，晶体管Q4-1的发射极接地，晶体管Q4-1的集电极接晶体管Q4-2的发射极，电阻R4-1的一端接晶体管Q4-1的基极，电阻R4-1的另一端接晶体管Q4-2的基极，电阻R4-2一端接晶体管Q4-2的基极，位于尾端的电阻的一端接二极管D2-1阴极、另一端接位于尾端的晶体管的基极，位于尾端的晶体管的集电极接二极管D2-1的阴极、发射极接前侧相邻晶体管的集电极，位于尾端的晶体管的基极接前侧相邻电阻的一端、且磁电阻的另一端接前侧相邻晶体管的基极。