[实用新型]一种贴片元件、贴片MOSFET及贴片IGBT

说明书

本实施新型涉及功率器件封装领域，具体公开了一种贴片元件、贴片MOSFET及贴片IGBT，包括封装体和金属引脚组，其中，所述封装体与散热金属片形成容纳空间，所述容纳空间内设置有芯片单元，所述芯片单元与所述散热金属片连接，所述封装体的一面设置有两个金属引脚，两个金属引脚配置为第一金属引脚和第三金属引脚，所述第一金属引脚和所述第三金属引脚分别连接所述芯片单元，所述散热金属片配置为第二金属引脚，本实用新型提供的贴片元件省去了现有贴片元件的中间脚，进而增加了引脚间距，本实用新型可以解决因电镀层锡须生长或异物导致的连极短路问题，从而可以降低产品故障风险，提高产品良率。

技术领域

本实用新型涉及功率器件封装领域，具体涉及一种贴片元件、贴片MOSFET及贴片IGBT。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称 IGBT)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR(电力晶体管)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

其中IGBT单管作为IGBT产品的系列之一，一直在光伏逆变器、焊机等领域扮演着重要的角色，传统的IGBT单管封装形式主要为 TO-220、TO-3P、TO-247等插装式封装，其优点在于产品安装以及更换简单；随着电子设备产品的小型化、轻薄化发展，传统的IGBT单管由于其体积较大而难以满足需求，不得不向体积更小的贴片式封装进行发展；现有的贴片式IGBT(如专利申请号为“CN201922294673.3”，名称为“一种贴片式IGBT芯片”)设置有三个平行设置的Z型金属引脚，在使用过程容易因电镀层锡须生长或异物导致引脚连极短路。

实用新型内容

本实用新型为解决现有技术中贴片元件设置三个平行的Z型金属引脚，在使用过程容易因电镀层锡须生长或异物导致引脚连极短路的问题，提供一种新的贴片元件。

本实用新型采用的技术方案：

一种贴片元件，包括：

封装体，所述封装体与散热金属片形成容纳空间，所述容纳空间内设置有芯片单元，所述芯片单元与所述散热金属片连接；

金属引脚组，所述封装体的一面设置有两个金属引脚，两个金属引脚配置为第一金属引脚和第三金属引脚，所述第一金属引脚和所述第三金属引脚分别连接所述芯片单元，所述散热金属片配置为第二金属引脚。

进一步地，所述散热金属片包括第一散热部和第二散热部，所述第一散热部连接第二散热部，所述第一散热部与所述封装体形成容纳空间，所述第二散热部凸出所述封装体。

进一步地，所述第一金属引脚和所述第三金属引脚的末端与所述第二金属引脚在同一水平面。

进一步地，所述第一金属引脚经第一打线部连接所述芯片单元，所述第三金属引脚经第二打线部连接所述芯片单元。

进一步地，所述第二打线部面积大于所述第一打线部面积。

具体地，所述贴片元件包括载片区，所述载片尺寸设置为 10.1mm*5.4mm，所述第一打线部的尺寸设置为1.4mm*1.4mm，所述第二打线部的尺寸为7.1mm*1.4mm。

本实用新型为解决现有MOSFET设置三个平行的Z型金属引脚，在使用过程容易因电镀层锡须生长或异物导致引脚连极短路的问题，提供一种新的贴片MOSFET。