[实用新型]一种基板镀膜设备

说明书

本实用新型涉及一种基板镀膜设备，通过在传统的基板输入单元中设置加热器，从而可以使得在输入基板时，即可在基板输入单元中进行预热，在进入基板工艺单元中时则无需再度进行加热，从而降低了基板工艺单元的镀膜工艺时长，也就是降低了基板的生产时间。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件领域，尤其涉及一种基板镀膜设备。

背景技术

目前，目前传统的PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子增强化学气相沉积法)镀膜设备的LL(loadlock，基板出入)单元设计为真空单元与大气环境的过渡单元，基板由此传送进入设备的TM (Transfer chamber，基板传输单元)，然后由TM传输给PM(Process chamber，基板工艺单元)进行镀膜，镀膜完成后再从LL单元传回卡夹。而PECVD为高温工艺设备，基板在PM的工艺腔室中，会先进行预热步骤来预热基板以保证镀膜的质量，此举会导致镀膜工艺时长较长。

因此，如何降低基板镀膜工艺时长，提升基板镀膜效率，是亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述相关技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种基板镀膜设备，旨在解决相关技术中，基板镀膜时间长，镀膜效率低的问题。

一种基板镀膜设备，包括基板输入单元、基板输出单元、基板传输单元以及至少一个基板工艺单元；其中，所述基板传输单元包括若干相互连通的传输通道，所述基板输入单元和基板输出单元均与所述基板传输单元的至少一个所述传输通道连接，所述基板传输单元的其他传输通道与所述基板工艺单元连接；所述基板工艺单元用于对基板执行镀膜工艺；

所述基板输入单元中设置有加热器，所述加热器被配置为当基板进入所述基板输入单元时，所述加热器对所述基板进行预热，预热的温度与所述基板工艺单元的工作温度对应。

上述基板镀膜设备，通过在传统的基板输入单元中设置加热器，从而可以使得在输入基板时，即可在基板输入单元中进行预热，在进入基板工艺单元中时则无需再度进行加热，从而降低了基板工艺单元的镀膜工艺时长，也就是降低了基板的生产时间。

可选的，所述基板输入单元包括第一载台，安装于第一载台中的加热器，以及与所述加热器连接的加热控制器；当基板进入所述基板输入单元时，所述基板位于所述第一载台上，所述加热控制器控制所述加热器，将所述基板预热到对应的温度。

可选的，所述加热器包括螺旋状排列的加热丝，所述加热丝的盘旋平面平行于所述第一载台的承载面。

可选的，所述基板输入单元还包括第一抽气系统，所述第一抽气系统的第一抽气口与所述基板输入单元的腔室连通，用于抽取所述基板输入单元中的气体。

可选的，所述基板输出单元中设置有冷却装置，镀膜完成的所述基板在通过所述基板输出单元时，通过所述冷却装置将所述基板的温度冷却到预设温度后再输出。

可选的，所述基板输出单元中设置有第二载台，所述冷却装置包括冷却气体通道和第二抽气系统；所述冷却气体通道的进气口，设置于所述基板输出单元腔室的一侧，所述第二抽气系统的第二抽气口设置于与所述进气口相对的另一侧，所述冷却气体，从所述进气口进入所述基板输出单元的腔室，经过所述第二载台的承载面之后，再通过所述第二抽气口被所述第二抽气系统抽出。

可选的，所述进气口设置于基板输出单元腔室的顶部；所述抽气口相应的设置于所述基板输出单元腔室的底部。

可选的，所述冷却装置还包括气体分流盘，所述气体分流盘包括气体输入孔和若干个气体输出孔，所述气体输入孔与所述进气口连通，从各所述气体输出孔输出的气体均匀的覆盖于所述第二载台上的承载面。

可选的，所述气体分流盘上的各所述气体输出孔位于同一平面上，且各气体输出孔的孔径大小一致。