[实用新型]一种负压电平转换单元

说明书

本实用新型的负压电平转换单元，包括自举电路，所述自举电路包括晶体管M4、M5、M6和M7，电压输入信号EN分别与反向器INV的输入端、晶体管M4、M6的基极相连，所述反相器INV的输出端通过电容C1分别与晶体管M4的发射极、晶体管M5的集电极相连并交汇于N点，所述晶体管M6的发射极接电压VDD，所述晶体管M6的集电极与晶体管M7的发射极相连，所述晶体管M7的集电极分别与晶体管M4的集电极、晶体管M5的基极相连，所述晶体管M5的基极与晶体管M7的集电极交汇于节点EN_BS且通过电容C2与输出节点EN_NEG相连。本负压电平转换单元可实现电路在切换工作状态时不产生串通电流，不会在负压电源上产生很高的瞬态电流。

技术领域

本实用新型涉及一种负压电平转换单元，属于电平转换电路技术领域。

背景技术

负电压电平转换单元是把逻辑电平信号转变为负电压信号的电路，是广泛应用于非易失性存储器的基本电路，主要提供非易失性存储器在进行读写操作时所需要的正电压和负电压。在隔离要求很高的应用领域里，从正电压到负电压的电平转换单元是控制MOS开关电路的常用电路。

传统的电平转换单元电路采用两个共源共栅电路，栅极被同一个电源驱动；在切换工作状态时会产生很高的串通电流，会在负压电源上产生很高的瞬态电流，这就导致负压电源的设计非常复杂，同时也要求使用很大的去耦电容来提供瞬态电流。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，克服现有技术中存在的问题，提供一种负压电平转换单元，可实现电路在切换工作状态时不产生串通电流，不会在负压电源上产生很高的瞬态电流。

为解决以上技术问题，本实用新型的负压电平转换单元，包括自举电路，所述自举电路包括晶体管M4、M5、M6和M7，电压输入信号EN分别与反向器INV的输入端、晶体管M4、M6的基极相连，所述反相器INV的输出端通过电容C1分别与晶体管M4的发射极、晶体管M5的集电极相连并交汇于N点，所述晶体管M6的发射极接电压VDD，所述晶体管M6的集电极与晶体管M7的发射极相连，所述晶体管M7的集电极分别与晶体管M4的集电极、晶体管M5的基极相连，所述晶体管M5的基极与晶体管M7的集电极交汇于节点EN_BS且通过电容C2与输出节点EN_NEG相连。

进一步的，所述自举电路还包括电容C3，所述电容C3并联于晶体管M5的集电极和发射极之间。

进一步的，还包括电压锁存电路，所述电压锁存电路包括晶体管M0、M1、M2、M3、M8和M9，所述晶体管M3的发射极接电压VDD，所述晶体管M3的集电极与晶体管M0的集电极相连，晶体管M3的基极连电压输入信号EN，所述晶体管M0的基极接地，所述晶体管M0的发射极与晶体管M1的集电极相连并交汇于输出节点EN_NEG，所述晶体管M1的发射极与输出负端相连，晶体管M2的基极与输出节点EN_NEG相连，所述晶体管M2的集电极与晶体管M9的发射极相连并相交于K点且与晶体管M1的基极相连，所述晶体管M2的发射极与所述晶体管M1的发射极相连且接NVDD，所述晶体管M9的基极与晶体管M8的基极相接并与所述自举电路中的N点相接，所述晶体管M8的发射极接地，晶体管M8的集电极与晶体管M9的集电极相连。

进一步的，所述晶体管M3、M6、M7和M8为PNP型晶体管，所述晶体管M0、M1、M2、M4、M5和M9为NPN型晶体管。

本实用新型的有益效果是：1、自举电路用来提供“EN_NEG”节点的充放电电流，用来确定“EN_NEG”节点的电位。锁存电路用来维持“EN_NEG”节点的逻辑电平（0或者NVDD），自举电路和锁存电路相互配合，实现电路在切换工作状态时不产生串通电流，不会在负压电源上产生很高的瞬态电流。