[实用新型]显示面板及显示装置有效
申请号: | 202120358820.3 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN214542235U | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 卢江楠;刘利宾;商广良;韩龙;冯宇;王丽;李梅 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32;H01L23/552;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,具有显示区和位于所述显示区外的周边区;所述显示面板包括:
衬底;
至少一条第一信号线,设置于所述衬底上且位于所述周边区内;
至少一条第二信号线,设置于所述衬底上且位于所述周边区内;所述至少一条第二信号线和所述至少一条第一信号线同层设置;
绝缘层,覆盖所述至少一条第一信号线和所述至少一条第二信号线;所述绝缘层在远离所述衬底的一侧的表面设置有至少一个凹槽;一个凹槽的底面在所述衬底上的正投影位于一条第一信号线和一条第二信号线在所述衬底上的正投影之间;
屏蔽信号线,覆盖所述至少一个凹槽。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,沿垂直于衬底所在平面的方向,相比于所述第一信号线和所述第二信号线中的至少一者的顶面,所述凹槽的底面更靠近所述衬底。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号线和所述第二信号线相邻;
所述凹槽的底面在所述衬底上的正投影的宽度,小于或等于所述第一信号线和所述第二信号线在所述衬底上的正投影中相互靠近的两个边沿之间的距离。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽的底面在所述衬底上的正投影的宽度为2μm~10μm。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号线的延伸方向和所述第二信号线的延伸方向相同;
所述凹槽沿所述第一信号线和所述第二信号线的延伸方向延伸。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述屏蔽信号线在所述衬底上的正投影覆盖所述第一信号线在所述衬底上的正投影和所述第二信号线在所述衬底上的正投影。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述屏蔽信号线位于所述周边区内且围绕所述显示区。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号线被配置为传输第一信号;所述第二信号线被配置为传输第二信号;所述第一信号和所述第二信号均为脉冲信号,且所述第一信号和所述第二信号不相同;
所述屏蔽信号线被配置为传输直流信号。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号和所述第二信号具有相同的脉冲周期;所述第一信号和所述第二信号具有相位差。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述脉冲周期为4μs~100μs。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的显示面板,其特征在于,还包括:
多个发光器件,设置于所述衬底上且位于所述显示区内;
每个发光器件包括第一电极和第二电极;所述第一电极相比于所述第二电极靠近所述衬底;
所述第二电极与所述屏蔽信号线耦接。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其中,所述发光器件的第一电极与所述屏蔽信号线同层设置;
所述绝缘层为双层结构。
13.根据权利要求11所述的显示面板,其中,所述发光器件的第一电极相比于所述屏蔽信号线远离所述衬底;
所述绝缘层为单层结构。
14.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
多个像素电路,设置于所述衬底上且位于所述显示区内;
驱动电路,设置于所述衬底上且位于所述周边区内;所述驱动电路分别与所述多个像素电路、所述第一信号线和所述第二信号线耦接;
所述驱动电路被配置为,响应于在所述第一信号线处接收的第一信号和在所述第二信号线处接收的第二信号,向所述多个像素电路提供驱动信号,以驱动所述多个像素电路工作。
15.一种显示装置,其特征在于,包括:
如权利要求1~14中任一项所述的显示面板;
控制芯片,与所述显示面板耦接;所述控制芯片被配置为向所述显示面板提供信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的