[实用新型]一种可用于研究非绝热跃迁的静电表面阱

说明书

本实用新型公开了一种可用于研究非绝热跃迁的静电表面阱，涉及芯片相关领域；该静电表面阱包括电极组件，所述电极组件由外径逐渐增大的一号环形电极、二号环形电极和三号环形电极组成，所述一号环形电极、二号环形电极和三号环形电极同圆心且等距间隔设置，所述圆心处为阱中心，所述一号环形电极和三号环形电极的厚度相等且小于二号环形电极厚度，一号环形电极、二号环形电极和三号环形电极上分别开设有一号缝隙、二号缝隙和三号缝隙；通过调节电极电压使该阱的阱中心的场强在零和非零之间灵活切换；可以避免阱中分子由于非绝热跃迁而逃逸，还可以形成中心场强为0的势阱，形成阱中心场强非0的势阱，避免非绝热跃迁。

技术领域

本实用新型涉及芯片相关领域，具体是一种可用于研究非绝热跃迁的静电表面阱。

背景技术

静电表面阱是在一种介质（如玻璃）表面刻蚀金属电极（如黄金），形成一个电场强度最小的区域。对于弱场搜寻态的冷极性分子，其会趋向于会聚在这个区域。这样我们就可以在介质表面囚禁冷极性分子；二非绝热跃迁是分子被囚禁在静电阱中，如果分子从可囚禁的量子态跃迁到不可囚禁的量子态，这样分子会从静电阱中逃逸。

2009年德国的一个小组通过实验证实，分子被囚禁在阱中心场强为零的静电阱中，同样会由于非绝热跃迁而逃逸。该小组指出想利用偏置电场的办法解决基于分子芯片的静电阱中非绝热跃迁造成的分子逃逸很难。他们采用的是加偏置磁场的方法，但很遗憾，这并不是普遍适用的。对于一些分子，加了磁场后，反而会造成囚禁能级和非囚禁能级分裂间距的减小，加剧了非绝热跃迁的发生。同时可以通过巧妙设计电极结构，不加偏置磁场，也成功解决了此问题。现有的静电表面阱方案只能单一的形成阱中心场强为0或者非0的静电阱，不利于研究阱中分子的非绝热跃迁。

在本实用新型中将重新设计电极结构，使得静电表面阱既可以避免阱中分子由于非绝热跃迁而逃逸，另一方面可以借助其研究非绝热跃迁。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可用于研究非绝热跃迁的静电表面阱，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种可用于研究非绝热跃迁的静电表面阱；包括电极组件，所述电极组件由外径逐渐增大的一号环形电极、二号环形电极和三号环形电极组成，所述一号环形电极、二号环形电极和三号环形电极同圆心且等距间隔设置，所述圆心处为阱中心，所述一号环形电极和三号环形电极的厚度相等且小于二号环形电极厚度，一号环形电极、二号环形电极和三号环形电极上分别开设有一号缝隙、二号缝隙和三号缝隙，其中所述三号缝隙和二号缝隙的间距相等且大于一号缝隙的间距。

作为本实用新型进一步的方案：所述一号环形电极、二号环形电极和三号环形电极构建在介质层表面。

作为本实用新型进一步的方案：所述介质层为聚四氟乙烯或玻璃。

作为本实用新型进一步的方案：所述一号环形电极、二号环形电极和三号环形电极的材料为金或不锈钢。

作为本实用新型再进一步的方案：一号缝隙和二号缝隙的位置同向且与三号缝隙相互垂直设置。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型可以通过调节电极电压使该阱的阱中心的场强在零和非零之间灵活切换；一方面可以避免阱中分子由于非绝热跃迁而逃逸，另一方面，由于其既可以形成中心场强为0的势阱，发生非绝热跃迁；又可以形成阱中心场强非0的势阱，避免非绝热跃迁。

附图说明

图1为本实用新型的三维结构示意图。

图2为本实用新型的结构示意图。

图3为装载分子时一维电场分布图。

图4为按第一个数据囚禁分子时一维电场分布图。