[实用新型]图案化衬底

说明书

本申请提供一种图案化衬底。该图案化衬底沿竖直方向包括依次层叠设置的基板以及AlN层，所述图案化衬底沿竖直方向包括相对设置的第一表面和第二表面，所述基板的底面为所述图案化衬底的第一表面，所述图案化衬底的第二表面为图案化表面，所述第二表面设有多个沿水平方向相互独立的凹槽，且多个所述凹槽呈阵列排列，每一所述凹槽的下方至少留有部分所述基板；所述图案化衬底经过退火处理。本申请的图案化衬底，通过改变AlN层的结构，避免后续生长的外延结构翘曲，以及减少衬底减薄过程中的应力，避免造成衬底的破裂；另外，通过对图案化衬底进行退火处理，能够进一步提高AlN的晶体的质量，从而进一步提高器件的整体质量。

技术领域

本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种图案化衬底。

背景技术

发光二极管(LED)已经广泛应用现有技术当中，在现有技术中，因为已经广泛使用，其中深紫外发光二极管技术在所有的LED技术中属于较为前沿的方向。

在现有技术中，对于深紫外LED芯片的生产通常是在蓝宝石衬底上生长出AlN(氮化铝)单晶来实现，再在AlN单晶上生长外延结构。但是，直接在AlN单晶上生长外延结构容易造成外延片翘曲，难以保证大批量生产的效率和成品率。

实用新型内容

本申请提供一种图案化衬底，通过改变AlN层的结构，避免后续生长的外延结构翘曲，以及减少衬底减薄过程中的应力，避免造成衬底的破裂；另外，通过对衬底进行退火处理，能够进一步提高AlN的晶体的质量，从而进一步提高器件的整体质量。

为实现上述目的，本申请实施例提供一种图案化衬底，所述图案化衬底沿竖直方向包括依次层叠设置的基板以及AlN层，所述图案化衬底沿竖直方向包括相对设置的第一表面和第二表面，所述基板的底面为所述图案化衬底的第一表面，所述图案化衬底的第二表面为图案化表面，所述第二表面设有多个沿水平方向相互独立的凹槽，且多个所述凹槽呈阵列排列，每一所述凹槽的下方至少留有部分所述基板；所述图案化衬底经过退火处理。

可选的，所述AlN层的上表面为所述图案化衬底的第二表面，所述凹槽开设于所述AlN层上。

可选的，所述图案化衬底还包括介质层，沿竖直方向所述介质层覆设于所述AlN层远离所述基板的一面，且所述介质层的上表面为所述图案化衬底的第二表面，所述凹槽开设于所述介质层上，且所述凹槽的深度大于所述介质层的厚度。

可选的，所述介质层的材料为SiN、SiO₂、Al₂O₃中的一种；和/或，所述介质层的厚度为1um-3um。

可选的，所述AlN层的厚度为1um-2um。

可选的，所述凹槽的形状为圆形或者多边形。

可选的，所述凹槽的宽度为20um-150um；和/或，相邻的两个所述凹槽在所述第二表面上的外边缘之间的距离≤10um。

可选的，所述凹槽的宽度沿竖直方向由下至上逐渐膨大；

所述凹槽的侧壁为倾斜的平面；或，

所述凹槽的侧壁为下凹的曲面；或，

所述凹槽的侧壁为上凸的曲面。

可选的，所述凹槽沿竖直方向由下至上包括相连通的第一部分和第二部分，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度；

所述第一部分的宽度沿竖直方向由下至上相同，所述第二部分的宽度沿竖直方向由下至上逐渐增大。

可选的，多个所述凹槽沿列方向依次排列成多行；相邻两行所述凹槽对齐排列或者错位排列；或，

多个所述凹槽沿行方向依次排列成多列；相邻两列所述凹槽对齐排列或者错位排列。