[实用新型]电注入花篮有效
| 申请号： | 202120402726.3 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN214203640U | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 袁华斌;王磊;朱露;孙铁囤;张凯胜;杨宇城 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/265;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 张云 |
| 地址： | 213213 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 注入 花篮 | ||
【权利要求书】：
1.一种电注入花篮，其特征在于：包括底座(1)和若干档杆(2)，若干所述档杆(2)设置在底座(1)上，若干所述档杆(2)围合呈用于限制硅片位移的限位区域，所述档杆(2)靠近硅片的一侧设置薄膜(3)，所述档杆(2)和薄膜(3)之间具有空腔体(4)。
2.根据权利要求1所述的电注入花篮，其特征在于：所述档杆(2)上端靠近硅片的一侧设置有斜面(5)，所述斜面(5)由档杆(2)的一端向底座(1)方向为逐渐向内倾斜设置。
3.根据权利要求1所述的电注入花篮，其特征在于：所述底座(1)上开设有贯穿其上下表面的通孔(6)。
4.根据权利要求1所述的电注入花篮，其特征在于：所述档杆(2)靠近薄膜(3)的一侧开设有凹槽，所述薄膜(3)覆盖在凹槽上。
5.根据权利要求1所述的电注入花篮，其特征在于：所述薄膜(3)的材质聚酰亚胺。
6.根据权利要求1所述的电注入花篮，其特征在于：所述底座(1)的材质为铁合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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