[实用新型]一种低功耗混合式双输出DC-DC变换器有效
申请号: | 202120410412.8 | 申请日: | 2021-02-24 |
公开(公告)号: | CN214256137U | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 陈景文;王培瑞 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158;H02M1/14 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 崔方方 |
地址: | 710021*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 混合式 输出 dc 变换器 | ||
1.一种低功耗混合式双输出DC-DC变换器,其特征在于,包括电压源、第一电感、升压变换器、降压变换器以及第一电容,升压变换器包括第一MOS管、第二MOS管、第二电感、第三电感以及PWM控制器,降压变换器包括PFM控制器以及若干开关电容转换器;
第一电感的第一端连接电压源的正极,第二端连接第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极;第二电感和第三电感的第一端均连接电压源的负极,且第三电感的第一端接地,第二电感的第二端连接第一MOS管的源极并接地,第三电感的第二端与PWM控制器和第一负载的第二端均连接,第一负载的第二端接地;第二MOS管的源极与PWM控制器和第一负载的第一端均连接;第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极均与PWM控制器连接;
开关电容转换器包括第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管以及第二电容;第三MOS管的源极与第一负载的第一端连接,栅极与第四MOS管的栅极连接后与PFM控制器连接,漏极与第二电容的第一端和第五MOS管的漏极均连接;第二电容的第二端与第四MOS管的漏极和第六MOS管的漏极均连接;第五MOS管的栅极与第一负载的第一端连接,第五MOS管的源极与第六MOS管的源极连接后与PFM控制器、第一电容的第一端和第二负载的第一端均连接,第一负载的第二端依次连接第四MOS管的源极、第六MOS管的栅极、第一电容的第二端和第二负载的第二端,第一电容的第二端接地;所有第三MOS管的源极相互连接,所有第五MOS管的源极相互连接。
2.根据权利要求1所述的低功耗混合式双输出DC-DC变换器,其特征在于,所述升压变换器还包括第三电容、第四电容以及第四电感;
第三电容的第一端连接第二MOS管的源极,第二端连接第二电感的第二端;
第四电感的第一端与第二MOS管的源极和第三电容的第一端均连接,第四电感的第二端连接第一负载的第一端,第四电容的第一端连接第四电感远离第二MOS管的一端,第二端连接第一负载的第二端。
3.根据权利要求2所述的低功耗混合式双输出DC-DC变换器,其特征在于,所述第四电感为键合线电感。
4.根据权利要求2所述的低功耗混合式双输出DC-DC变换器,其特征在于,所述第三电容和第四电容均为金属氧化物半导体电容。
5.根据权利要求1所述的低功耗混合式双输出DC-DC变换器,其特征在于,所述开关电容转换器的数量为十一个。
6.根据权利要求1所述的低功耗混合式双输出DC-DC变换器,其特征在于,所述第一MOS管和第二MOS管均选用TK7S10N1Z型MOS管,第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管以及第六MOS管均选用SSM3K336R型MOS管。
7.根据权利要求6所述的低功耗混合式双输出DC-DC变换器,其特征在于,所述第一MOS管和第二MOS管的开关频率均为250khz。
8.根据权利要求6所述的低功耗混合式双输出DC-DC变换器,其特征在于,第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管及第六MOS管的开关频率均为10mhz。
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