[实用新型]具有改善金属污染功能的湿法刻蚀设备有效
申请号: | 202120411904.9 | 申请日: | 2021-02-24 |
公开(公告)号: | CN214226880U | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 吴镐硕;朴灵绪 | 申请(专利权)人: | 苏州恩腾半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 215024 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改善 金属 污染 功能 湿法 刻蚀 设备 | ||
本实用新型提供了一种具有改善金属污染功能的湿法刻蚀设备,包括:腐蚀槽,其内部具有承载腐蚀液及待清洗件的空间;螯合剂供给单元,其包括螯合剂源;定量供给单元,其包括具有输入端和输出端的定量供给槽;所述输入端连接所述螯合剂供给单元,所述输出端连接所述腐蚀槽,所述定量供给槽将所述输入端流入的螯合剂从所述输出端处定量供给至所述腐蚀槽。本实用新型经改善的结构设计,提供螯合剂以去除碱溶液中的污染金属离子,通过定量供给单元确保对腐蚀槽定量供给螯合剂,大幅降低了腐蚀工艺对于碱溶液的高纯度要求,降低了生产成本,提升了产品良率。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及湿法刻蚀设备,特别是涉及一种具有改善金属污染功能的湿法刻蚀设备。
背景技术
在硅片制作工艺中,为了去除硅片磨片或减薄后产生的机械应力及表面缺陷,通常会使用碱溶液对硅片进行腐蚀,以消除机械应力及表面缺陷。
目前,针对磨片或减薄后的硅片,一般采用KOH或NaOH等碱溶液对其进行15~25μm左右的腐蚀,从而消除机械应力和缺陷。为了防止金属污染,KOH或NaOH等碱溶液必须具有高纯度,防止碱溶液中的金属杂质影响器件性能。例如,对于CMOS图像传感器,其使用的衬底硅片为P/P++外延片是通过硼元素重掺杂得到的。对于此类外延片,较低浓度的镍元素污染就会导致硅片中产生镍-硼结合,导致器件失效。因此,为了避免上述情况,必须采用高纯度的碱溶液进行腐蚀工艺。
然而,器件性能要求的不断提高,其对碱溶液纯度的要求也不断提升,不但导致生产成本不断提升,也极易因腐蚀工艺所用碱溶液纯度不足而导致器件失效。如何降低腐蚀工艺对于碱溶液纯度的要求已成为业界亟待解决的技术问题。
因此,有必要提出一种新的具有改善金属污染功能的湿法刻蚀设备,解决上述问题。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种具有改善金属污染功能的湿法刻蚀设备,用于解决现有技术中难以降低腐蚀工艺对于碱溶液纯度要求的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种具有改善金属污染功能的湿法刻蚀设备,包括:
腐蚀槽,其内部具有承载腐蚀液及待清洗件的空间;
螯合剂供给单元,其包括螯合剂源;
定量供给单元,其包括具有输入端和输出端的定量供给槽;所述输入端连接所述螯合剂供给单元,所述输出端连接所述腐蚀槽,所述定量供给槽将所述输入端流入的螯合剂从所述输出端处定量供给至所述腐蚀槽。
可选地,所述定量供给槽包括质量流量计和液位计。
可选地,所述定量供给槽还设有排液口和排风口。
可选地,所述湿法刻蚀设备还包括位于所述螯合剂源下方的第一防漏液槽,以及位于所述定量供给单元下方的第二防漏液槽。
可选地,所述螯合剂供给单元包括第一排风箱,所述第一排风箱容纳所述螯合剂源和所述第一防漏液槽,并连接第一排风管路,所述第一排风管路上设有第一排风阀;所述第一防漏液槽还连接漏液管路。
可选地,所述定量供给单元包括第二排风箱,所述第二排风箱容纳所述定量供给槽,并连接第二排风管路,所述第二排风管路上设有第二排风阀。
可选地,所述定量供给槽的输出端至少通过两条输出管路连接至所述腐蚀槽的不同位置。
可选地,所述螯合剂供给单元还包括将所述螯合剂源的螯合剂抽取至所述定量供给槽的输入端的供给泵。
可选地,所述供给泵的进液口设有进液阀,所述供给泵的出液口设有出液阀;所述供给泵连接所述螯合剂源的管路上还设有加热装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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