[实用新型]一种高集成低耦合的磁元件

权利要求书

1.一种高集成低耦合的磁元件，其特征在于，包括磁骨架(1)、均设置在所述磁骨架(1)内的用于安置一次侧线圈组(2)的一次绕线槽和用于安置二次侧线圈组(3)的二次绕线槽，所述一次绕线槽与所述二次绕线槽中间还设置有用于将所述一次侧线圈组(2)和二次侧线圈组(3)分开的隔离槽。

2.根据权利要求1所述的高集成低耦合的磁元件，其特征在于，所述磁骨架(1)包括第一磁体(6)和第二磁体(7)，所述第一磁体(6)和第二磁体(7)均为一端端面封闭的U型槽结构，所述第一磁体(6)和第二磁体(7)的未封闭端对接设置，以形成四周封闭的凹槽结构，所述一次绕线槽、隔离槽以及二次绕线槽依次相邻，且均设置在所述凹槽内。

3.根据权利要求1所述的高集成低耦合的磁元件，其特征在于，所述隔离槽内还设置有用于挡在所述一次侧线圈组(2)与二次侧线圈组(3)之间，并用于调节一次侧线圈组(2)与二次侧线圈组(3)之间漏感的绝缘遮挡板(4)。

4.根据权利要求3所述的高集成低耦合的磁元件，其特征在于，所述绝缘遮挡板(4)宽度小于所述隔离槽的宽度，且能沿所述隔离槽横向方向移动，以调节所述一次侧线圈组(2)与二次侧线圈组(3)之间的漏感。

5.根据权利要求4所述的高集成低耦合的磁元件，其特征在于，还包括从所述磁骨架(1)第一侧壁穿设至一次绕线槽内的一次绕线轴以及从所述磁骨架(1)的第二侧壁穿设至二次绕线槽内的二次绕线轴(5)；所述第一侧壁与所述第二侧壁相对，所述一次绕线轴和所述二次绕线轴(5)相对且由所述隔离槽间隔开，所述一次侧线圈组(2)缠绕在所述一次绕线轴，所述二次侧线圈组(3)缠绕在所述二次绕线轴(5)。

6.根据权利要求5所述的高集成低耦合的磁元件，其特征在于，包括多个均与所述一次绕线轴相对设置，且均从所述磁骨架(1)的第二侧壁穿设至二次绕线槽内的二次绕线轴(5)，所述多个二次绕线轴(5)相互平行，且长度不一，分别用于缠绕多组不同圈数的二次侧线圈组(3)。

7.根据权利要求6所述的高集成低耦合的磁元件，其特征在于，所述二次绕线轴(5)在其不同高度的轴向位置均围设有二次侧大功率铜箔(51)。

8.根据权利要求7所述的高集成低耦合的磁元件，其特征在于，所述一次侧线圈组(2)由三层线圈绕制而成，且每层线圈均用绝缘胶布缠绕。