[实用新型]一种大功率多路串并联均压的电压浪涌抑制电路有效

专利信息
申请号: 202120413491.8 申请日: 2021-02-25
公开(公告)号: CN214227825U 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 王勇;王磊;齐福淼;刘玉海 申请(专利权)人: 西安市新雷能电子科技有限责任公司
主分类号: H02H9/00 分类号: H02H9/00;H02H9/04
代理公司: 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 代理人: 姬莉
地址: 710000 陕西省西安市高*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 大功率 串并联 电压 浪涌 抑制 电路
【说明书】:

实用新型属于电路技术领域,涉及一种大功率多路串并联均压的电压浪涌抑制电路,包括外接输入端,外接输入端与第一电容的一端电连接,第一电容的另一端接地;外接输出端,外接输出端与第二电容的一端电连接,第二电容的另一端接地;箝位电路,串联在外接输入端和外接输出端之间。本实用新型通过箝位MOSFET管多管串联均流和多管并联均压线路,大幅度提升线性过压浪涌抑制功率,过压等级,扩展浪涌抑制的使用范围,同时可以根据实际需要多级串并联功率MOSFET管,实现更高电压等级和更大功率等级的使用,实用性强,值得推广。

技术领域

本实用新型属于电路技术领域,具体涉及一种大功率多路串并联均压的电压浪涌抑制电路。

背景技术

随着半导体各种性能的提升,对系统电源的要求越来越高,稳定的电源前端电压是现有系统电源的主流方向,线性过压浪涌抑制线路由于具有良好的电磁兼容性成为前端预处理模块的首选。

由于电源的功率越来越高,而传统的线性过压浪涌抑制线路,箝位功率MOSFET管主要是单个MOSFET管,由于工艺限制,单个箝位功率MOSFET管过电流能力有限,导致输出功率受限,严重制约了线性过压浪涌抑制电路的使用范围。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型提供了一种大功率多路串并联均压的电压浪涌抑制电路,以便解决上述提到的技术问题。

本实用新型的技术方案是:

一种大功率多路串并联均压的电压浪涌抑制电路,包括:

外接输入端,所述外接输入端与第一电容CA的一端电连接,所述第一电容CA的另一端接地;

外接输出端,所述外接输出端与第二电容CB的一端电连接,所述第二电容CB的另一端接地;

箝位电路,串联在所述外接输入端和外接输出端之间,所述箝位电路包括依次串联的至少两级箝位模块,所述箝位模块包括至少两个并联的箝位单元,所述箝位单元包括:

MOSFET管,所述MOSFET管的源极与所述外接输入端电连接,所述MOSFET管的漏极与后级箝位模块电连接,所述MOSFET管的栅极与第三电容C2的一端电连接,所述第三电容C2的另一端接地,所述第三电容C2背离接地端的一端与第一电阻R2的一端电连接,所述第一电阻R2的另一端与所述MOSFET管的漏极电连接;

还包括:

供电电路,用于保证后级线路的正常供电,所述供电电路的输入端和外接输入端连接;

震荡电路,用于为后级电路提供设定频率的方波,所述震荡电路的输入端与所述供电电路的输出端连接;

自举电路,用于为所述箝位单元提供栅极驱动电压,所述震荡电路的输出端与所述自举电路的输入端连接;

均压电路,用于给所述箝位单元的MOSFET管的箝位电压均压;

输出调压电路,用于设定输出电压,所述输出调压电路的输入端和外接输入端电连接,所述输出调压电路的输出端和外接输出端电连接。

优选的,所述供电电路包括第二电阻R1、第一三极管VT1、第一二极管D1、第一稳压管DZ1和第四电容C1,所述第二电阻R1的一端与所述外接输入端电连接,所述第二电阻R1的另一端与所述第一二极管D1的阳极电连接,所述第一二极管D1的阴极与所述第一稳压管DZ1的阴极电连接,所述第一稳压管DZ1的阳极接地;所述第一二极管D1的阳极电连接第一三极管VT1的基极,所述第一三极管VT1的发射极与所述第四电容C1的一端电连接,所述第四电容C1的另一端接地,所述第一三极管VT1的集电极与所述外接输入端电连接。

优选的,所述震荡电路包括:

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