[实用新型]一种IBC电池的电池结构有效
申请号: | 202120421676.3 | 申请日: | 2021-02-25 |
公开(公告)号: | CN215184002U | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 李永治;戴伟;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0224 |
代理公司: | 杭州信义达专利代理事务所(普通合伙) 33305 | 代理人: | 陈继算 |
地址: | 322009 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ibc 电池 结构 | ||
本实用新型公开了一种IBC电池的电池结构,包括硅片,所述硅片沿横向间隔交替设置有正极主栅和负极主栅,所述正极主栅、负极主栅上分别焊接有正极焊条和负极焊条,正极焊条和负极焊条分别延沿纵向伸出硅片的端部,所述硅片的纵向端部设有避让所述正极焊条和/或负极焊条的避让开口,多片硅片上下层叠状态下,在层叠方向上,所述正极焊条和/或负极焊条至少部分位于所述避让开口内。本实用新型的优点在于能够减少电池片在层压后隐裂碎片的风险。
【技术领域】
本实用新型涉及一种IBC电池的电池结构,属于IBC电池领域。
【背景技术】
IBC电池是一种太阳能电池,其相对于普通电池而言,主要的优势在于转化效率高,其结构上,IBC电池是将正负两极金属接触均移到电池片背面,使面朝太阳的电池片正面呈全黑色,完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积,也有利于提升发电效率,外观上也更加美观。
由于IBC电池的正负电极都印在电池片背面,为了更好地收集电流和降低电池端成本,一般都设计成多主栅的电极图形,多主栅的电极通过焊条进行焊接。现有技术中,硅片与焊条焊接时,两片硅片之间的间隙处,即硅片的端部留白位置,焊条是不焊接的,如此容易造成该区域的焊条厚度高于其它焊接位置的高度,如此,多片电池片上下层压后,由于焊条厚度不一致,易造成电池片在层压后在留白区域造成隐裂碎片的风险。
【实用新型内容】
本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术的不足而提供一种IBC 电池的电池结构,能够减少电池片在层压后隐裂碎片的风险。
解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
一种IBC电池的电池结构,包括硅片,所述硅片沿横向间隔交替设置有正极主栅和负极主栅,所述正极主栅、负极主栅上分别焊接有正极焊条和负极焊条,正极焊条和负极焊条分别延沿纵向伸出硅片的端部,所述硅片的纵向端部设有避让所述正极焊条和/或负极焊条的避让开口,多片硅片上下层叠状态下,在层叠方向上,所述正极焊条和/或负极焊条至少部分位于所述避让开口内。
采用本实用新型的有益效果:
本实用新型中,在硅片的纵向端部设置了避让正极焊条和/或负极焊条的避让开口,这里所指的避让,是留出正极焊条和/或负极焊条在厚度方向的空间,所以在多片硅片上下层叠状态下,在层叠方向上,所述正极焊条和/或负极焊条至少部分位于所述避让开口内。由于正极焊条和/或负极焊条在硅片的纵向端部是不与硅片进行焊接的,所以其厚度会相对厚一些,而设置避让开口后,由于焊条本身具备一定柔性,当电池片层叠时,可以将正极焊条和/或负极焊条的一部分厚度与避让开口的空间实现重叠,这样可以尽量保证正极焊条和/或负极焊条高出硅片的高度保持一致,从而能够减少电池片在层压后隐裂碎片的风险。
另外,设置避让开口后,可以一定程度上降低硅片的成本,而且传统的硅片,其被焊条遮挡的硅片区域也造成了光学损失,本身也是一种成本浪费,故本实用新型设置避让开口,不仅降低了成本,而且也一定程度上减少光遮挡,对提高转化率有一定效果。
作为优选,所述硅片包括主栅区和位于主栅区纵向一侧的留白区,所述避让开口位于留白区。
作为优选,所述避让开口包括第一避让开口和第二避让开口,所述第一避让开口用于避让所述正极焊条,所述第二避让开口用于避让负极焊条。
作为优选,所述正极焊条和负极焊条分别延伸出硅片的不同两端,所述硅片的其中一端设有所述第一避让开口,所述硅片的另一端设有所述第二避让开口。
作为优选,所述第一避让开口和第二避让开口尺寸相同,所述硅片的同一端同时设有第一避让开口和第二避让开口。
作为优选,所述避让开口为U型开口槽。
作为优选,第一避让开口和/或第二避让开口的宽度为0.3mm~2mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的