[实用新型]一种半导体激光器叠阵定位结构

说明书

本实用新型涉及半导体激光器技术领域，具体的说是一种半导体激光器叠阵定位结构，包括第一散热铝板，P电极，半导体激光器，所述第一散热铝板通过铝板与水槽相连接，所述水槽的一端对称设有进水口和出水口，所述进水口和出水口分别和水槽内部U形管的两端相连接，所述直形管分别与U形管的两端相连接，所述U形管的底部由支架固定，所述P电极通过绝缘块与N电极相连接，所述半导体激光器与透镜一端相连接，本实用新型L字型结构的设置可以便于半导体激光器和绝缘块的固定安装，进一步提高激光器叠阵结构的稳定性，叠阵出光口为矩形，可以有效的保证每个半导体激光器在叠阵中的光斑位置的可控性，进而降低后续光学整形的难度及成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体激光器技术领域，具体而言，涉及一种半导体激光器叠阵定位结构。

背景技术

半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。其工作原理是通过一定的激励方式，在半导体物质的能带(导带与价带)之间，或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式，光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体激光器，一般是由砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等材料制成的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。光泵式半导体激光器，一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物质，以其他激光器发出的激光作光泵激励。高能电子束激励式半导体激光器，一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质，通过由外部注入高能电子束进行激励。在半导体激光器件中，性能较好，应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器。

半导体激光器叠阵是由半导体激光器列阵芯片垂直叠放并通过定位结构、紧固结构封装而成的，半导体激光器列阵芯片由很多个半导体激光器发光单元组成，这些发光单元在一个没有解理开的芯片上，形成列阵芯片(Bar条)，达到大功率输出的效果。激光器叠阵工作时产生热量的及时有效散出和单个激光器巴条的精准定位是尤其关键的因素。目前的半导体激光器叠阵的封装多采用水冷散热，而且由于激光器叠阵的输出功率一般可以达到数千瓦，但是半导体激光器的转换效率较低，一般在50％左右，这意味着一半的功率将以热量的形式散出，这就对散热能力提出了很大的要求。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种半导体激光器叠阵定位结构，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：

一种半导体激光器叠阵定位结构，包括第一散热铝板，P电极，半导体激光器，所述第一散热铝板通过铝板与水槽相连接，所述水槽的一端对称设有进水口和出水口，所述进水口和出水口分别和水槽内部U形管的两端相连接，所述U形管的两端分别与直形管两端相连接，所述U形管的底部由支架固定，所述水槽底部装有铝板，所述P电极通过绝缘块与N电极相连接，所述半导体激光器与透镜一端相连接，每个所述半导体激光器之间由绝缘板隔开，所述绝缘块的底部通过铜板与第二散热铝板相连接。

作为优选，所述第一散热铝板和第二散热铝板表面开设有若干间隔相同的凹槽，所述第一散热铝板底部与铝板完全重合。

作为优选，所述靠近进水口的位置设有换水口，换水口的直径比进水口和出水口小，所述U形管的外部在水槽内部只与支架接触。

作为优选，所述P电极和N电极皆为L字型结构，包括横向段和弯折段，所述P电极和N电极彼此互不接触。

作为优选，所述透镜和半导体激光器在绝缘板之间紧密贴合。

作为优选，所述半导体激光器由多个激光器沿由P电极朝向N电极的方向上垂直阵列叠放而成。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：