[实用新型]一种基于CMOS工艺的毫米波功率放大器有效
| 申请号： | 202120426738.X | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN214480486U | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王研;潘东方;段宗明;吴博文;孙利国 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F1/30 |
| 代理公司： | 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 | 代理人： | 王林 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 工艺 毫米波 功率放大器 | ||
1.一种基于CMOS工艺的毫米波功率放大器，其特征在于：包括第一放大单元、第二放大单元、第三放大单元、第四放大单元、第五放大单元、功率分配网络、功率合成网络、偏置开关控制单元；所述第一放大单元通过所述功率分配网络输出两路信号，分别与所述第二放大单元、所述第四放大单元连接，所述第二放大单元与所述第三放大单元连接，所述第四放大单元与所述第五放大单元连接，所述第四放大单元、所述第五放大单元通过所述功率合成网络输出合成一路输出信号，所述偏置开关控制单元分别与所述第四放大单元、所述第五放大单元连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于CMOS工艺的毫米波功率放大器，其特征在于：所述第一放大单元输入为单端信号，输出为差分信号，所述第二放大单元、第三放大单元、第四放大单元、第五放大单元的输入及输出均为差分信号。
3.根据权利要求2所述的一种基于CMOS工艺的毫米波功率放大器，其特征在于：所述毫米波功率放大器还包括第一变压器、第二变压器，所述第二放大单元输出连接所述第一变压器的初级线圈，所述第一变压器的次级线圈连接增益可变的第三放大单元，所述第四放大单元输出连接所述第二变压器的初级线圈，所述第二变压器的次级线圈连接增益可变的第五放大单元。
4.根据权利要求3所述的一种基于CMOS工艺的毫米波功率放大器，其特征在于：所述第一放大单元、第二放大单元、第三放大单元、第四放大单元、第五放大单元电路结构均采用基于交叉耦电容的共源差分放大器结构。
5.根据权利要求4所述的一种基于CMOS工艺的毫米波功率放大器，其特征在于：所述第二放大单元、第四放大单元所使用的晶体管尺寸相同，所述第三放大单元、第五放大单元所使用的晶体管尺寸相同。
6.根据权利要求5所述的一种基于CMOS工艺的毫米波功率放大器，其特征在于：所述第二放大单元、第四放大单元中两路均包括两个尺寸相同的晶体管，每路中一个晶体管的源级接地，另外一个晶体管的源级串联一个开关管，通过控制开关管栅极，使对应晶体管导通或关断。
7.根据权利要求6所述的一种基于CMOS工艺的毫米波功率放大器，其特征在于：所述第三放大单元、第五放大单元中两路均包括三个尺寸相同的晶体管，每路中一个晶体管的源级接地，另外两个晶体管的源级分别串联一个开关管，两个开关管分别通过控制开关管的栅极，使对应晶体管导通或关断。
8.根据权利要求7所述的一种基于CMOS工艺的毫米波功率放大器，其特征在于：控制所述第三放大单元、第五放大单元的偏置电压为0或工作电压，控制第三放大单元、第五放大单元的导通或关断。
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