[实用新型]一种填孔装置及半导体器件

权利要求书

1.一种填孔装置，其特征在于，包括：

容纳腔；

与所述容纳腔顶部的等离子体喷头连接的等离子体发生器，用于产生等离子体，并通过所述等离子体喷头，向位于所述容纳腔底部的基台表面的堆叠样品喷射所述等离子体；其中，所述堆叠样品中包括至少一个孔洞；

与所述容纳腔连接的直流偏置模块，用于产生直流偏置电场，并通过所述直流偏置电场调节所述等离子体在所述孔洞内的运动方向，以实现填充所述孔洞。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述直流偏置模块包括直流偏置极板，通过所述直流偏置极板产生所述直流偏置电场。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述直流偏置模块还包括调节装置；所述调节装置与所述直流偏置极板连接，用于调节所述直流偏置极板的旋转角度。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述旋转角度的取值范围为0度至180度。

5.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述直流偏置极板为正极板，通过所述正极板产生所述直流偏置电场，其中，所述直流偏置电场的场强方向垂直于所述正极板且指向远离所述正极板的方向。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述等离子体中至少包括碳离子和氧离子；

在所述直流偏置电场的作用下，所述氧离子向所述孔洞的底部运动，且所述氧离子能够与位于所述孔洞顶部和顶部侧壁的碳离子发生化学反应。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述填孔装置用于制作半导体器件；所述堆叠样品包括存储叠层；所述孔洞包括：位于所述存储叠层的台阶区的接触孔，和/或，位于所述存储叠层的阵列区的沟道孔。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述等离子体发生器包括等离子体反应腔和位于所述离子体反应腔中的高频电压发生器；

所述高频电压发生器用于形成高频电压，并通过所形成的高频电压作用于所述等离子体反应腔中的反应前躯体，实现对所述反应前躯体进行电离，以形成所述等离子体。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述高频电压发生器包括射频电极，所述射频电极的一端与电源电压连接，所述射频电极的另一端与所述等离子体喷头连接，所述射频电极用于形成所述高频电压。

10.根据权利要求8或9所述的装置，其特征在于，所述反应前躯体至少包括二氧化碳和碳氢化合物；

所述填孔装置包括至少两个所述等离子体发生器；

其中，第一个所述等离子体发生器用于对所述二氧化碳进行电离，形成二氧化碳等离子体；第二个所述等离子体发生器用于对所述碳氢化合物进行电离，形成碳氢化合物等离子体；

每一所述等离子体发生器连接一个所述等离子体喷头，或者全部等离子体发生器共同连接一个等离子体喷头，以通过所述等离子体喷头向所述堆叠样品喷射所述二氧化碳等离子体和所述碳氢化合物等离子体。

11.一种半导体器件，其特征在于，至少包括：堆叠样品以及位于所述堆叠样品中的至少一个孔洞；

其中，每一所述孔洞通过上述权利要求1至10任一项提供的填孔装置进行填充。