[实用新型]一种LED芯片及紫外杀菌或固化装置

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

基板，具有相对设置的第一表面和第二表面；

金属键合层，位于所述基板的第一表面上，且与外延层的第二半导体层电连接；

外延层，位于所述金属键合层的上方，所述外延层在所述金属键合层的上方依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；其中，在所述第二半导体层远离所述基板的出光面上设置有粗化微结构，所述粗化微结构包括第一凸起结构和第二凸起结构，所述第一凸起结构间隔分布于所述出光面上，所述第二凸起结构分布于所述第一凸起结构的表面及相邻所述第一凸起结构之间的所述出光面上。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一凸起结构的体积大于所述第二凸起结构的体积。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二凸起结构分布于所述第一凸起结构远离所述出光面的一端的端面上。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一凸起结构在所述出光面上呈阵列式分布。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，相邻所述第一凸起结构之间的距离小于或等于2μm；在垂直于所述出光面的方向上，所述第一凸起结构的高度小于或等于1μm。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一凸起结构呈半球形，且所述第一凸起结构的底面直径介于0.8μm～1μm。

7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述出光面上的所述第一凸起结构的底面面积总和占整个所述出光面的面积的比例小于50％。

8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，除所述第二半导体层的出光面上的所述粗化微结构以外，剩余所述第二半导体层的厚度大于等于1.5μm。

9.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片为紫外LED芯片，所述外延层由AlGaN材料构成。

10.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述金属键合层贯穿所述第一半导体层、所述有源层和部分所述第二半导体层，并与所述第二半导体层形成电性连接。

11.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片在所述金属键合层上依次还包括：电极接触层、金属反射层、电流阻挡层、透明导电层；

其中，所述透明导电层位于所述外延层的第一半导体层下方，并与所述第一半导体层形成电连接；

所述电流阻挡层上设置有多个开口，所述金属反射层延伸至所述开口内与透明导电层形成电连接。

12.根据权利要求11所述的LED芯片，其特征在于，还包括：绝缘层，设置于所述电极接触层与所述金属键合层之间。

13.根据权利要求11所述的LED芯片，其特征在于，还包括：第一电极，位于所述外延层一侧的所述电极接触层上方。

14.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：第二电极，位于所述基板的所述第二表面上，其中，所述基板为导电基板。

15.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：第二电极，位于所述基板的第一表面上，并与所述金属键合层电连接。

16.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：绝缘保护层，覆盖于所述LED芯片的所述出光面一侧的表面。

17.一种紫外杀菌或固化装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的LED芯片。