[实用新型]瞬态电压抑制二极管生产用晶粒切割装置有效
申请号: | 202120441730.0 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN214753661U | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 崔爱云;王莹;王旭日 | 申请(专利权)人: | 山东智盛电子器件有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/329 |
代理公司: | 济南誉琨知识产权代理事务所(普通合伙) 37278 | 代理人: | 李照兰 |
地址: | 252800 山东省聊城*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 瞬态 电压 抑制 二极管 生产 晶粒 切割 装置 | ||
本实用新型提出一种瞬态电压抑制二极管生产用晶粒切割装置,包括底板、支撑柱和顶板,顶板上设置有驱动气缸,顶板与底板之间设置有裁切模具,裁切模具包括上模具和下模具,驱动气缸的活动端与上模具活动顶接,下模具的两侧设置有一对导向柱,导向柱的顶部设置有位于上模具上方的限位板,上模具设置有与导向柱配合的导向孔,导向柱上套设有缓冲弹簧,缓冲弹簧的顶部与上模具顶接,下模具的后侧设置有溜板,溜板的上方设置有槽形的挡箱,挡箱的下方设置有收集箱,收集箱的顶部后侧设置有盖板组件。本实用新型提供的瞬态电压抑制二极管生产用晶粒切割装置具有较高的裁切效率和较好的收集能力,实用性较强,适合大规模推广。
技术领域
本实用新型属于二极管生产设备技术领域,尤其涉及一种瞬态电压抑制二极管生产用晶粒切割装置。
背景技术
瞬态电压抑制二极管是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。在生产过程中,二极管的晶粒是在引线框上注塑成型的,而后再由切割装置将其从引线框上裁切下来才能进行后续的生产工序。
现有的晶粒切割装置的裁切效率较低,而且裁切下来的晶粒产品很容易散落在设备附近,增加工人的收集难度,而且还会增加生产成本。
实用新型内容
本实用新型针对上述的晶粒切割装置所存在的技术问题,提出一种设计合理、结构简单、裁切效率较高且便于收集产品的瞬态电压抑制二极管生产用晶粒切割装置。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为,本实用新型提供的瞬态电压抑制二极管生产用晶粒切割装置,包括底板,所述底板上设置有支撑柱,所述支撑柱的顶部设置有顶板,所述顶板上设置有驱动气缸,所述驱动气缸的活动端穿过顶板朝底板所在方向延伸,所述顶板与底板之间设置有裁切模具,所述裁切模具包括上模具和下模具,所述上模具的底面和下模具的顶面均设置有用来与晶粒配合的晶粒槽,所述晶粒槽的长度与下模具的宽度相同,所述上模具的晶粒槽边缘设置有裁切刃,所述驱动气缸的活动端与上模具活动顶接,所述下模具的两侧设置有一对导向柱,所述导向柱的顶部设置有位于上模具上方的限位板,所述上模具设置有与导向柱配合的导向孔,所述导向柱上套设有缓冲弹簧,所述缓冲弹簧的顶部与上模具顶接,所述下模具的后侧设置有溜板,所述溜板的上方设置有槽形的挡箱,所述挡箱的侧视投影呈直角梯形,所述挡箱的下方为开放端,所述挡箱的下方设置有收集箱,所述收集箱的上方为开放端,所述溜板的末端从下模具的边缘延伸至收集箱的内部,所述收集箱的顶部后侧设置有盖板组件。
作为优选,所述盖板组件包括固定盖板,所述固定盖板的一侧设置有翻盖板,所述翻盖板呈L形,所述翻盖板与固定盖板转动连接,所述翻盖板包括水平部和竖直部,所述翻盖板的竖直部与挡箱的后端抵接。
作为优选,所述下模具的侧面设置有竖直的下缓冲柱,所述上模具的侧面设置有与下缓冲柱对应的上缓冲柱。
作为优选,所述下模具的顶面设置有用来与引线框配合的定位槽。
与现有技术相比,本实用新型的优点和积极效果在于:
1、本实用新型提供的瞬态电压抑制二极管生产用晶粒切割装置,利用驱动气缸可以带动上模具朝下模具方向移动直到将位于下模具上的工件裁切完毕,由缓冲弹簧伴随驱动气缸活动端的回缩而使上模具复位,而裁切产生的晶粒可以通过人工手持的气吹工具从晶粒槽中吹到收集箱中。本实用新型设计合理,结构简单,裁切效率较高,收集能力较好,实用性较强,适合大规模推广。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造