[实用新型]氧化镓晶片退火处理装置有效
申请号: | 202120458368.8 | 申请日: | 2021-03-03 |
公开(公告)号: | CN214782265U | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 吴义凯;黄安平;田京生 | 申请(专利权)人: | 珠海经济特区方源有限公司 |
主分类号: | C30B33/02 | 分类号: | C30B33/02;C30B29/16 |
代理公司: | 深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙) 44728 | 代理人: | 刘英 |
地址: | 519031 广东省珠海市香洲区宝南路317号*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 晶片 退火 处理 装置 | ||
本实用新型公开了氧化镓晶片退火处理装置,属于氧化镓晶片退火处理领域。氧化镓晶片退火处理装置,包括底座,限位杆侧壁连接有移动机构,移动机构包括驱动电机,驱动电机固定连接在限位杆侧壁,驱动电机输出端连接有连接杆,连接杆侧壁转动连接有第一转轴,第一转轴侧壁转动连接有连杆,连杆远离第一转轴的一端转动连接有第二转轴,第二转轴外壁转动连接有驱动块,驱动块侧壁连接有支撑圆盘,支撑圆盘底部连接有夹持机构,夹持机构加持端与晶片相配合;本实用新型通过夹持机构和移动机构相配,合实现夹取释放功能,可使夹持机构在夹取高度和夹取位置可进行调节,提高移动效率,可根据不同环境进行移动设定,减少移动时间,提高品控。
技术领域
本实用新型涉及氧化镓晶片退火处理领域,尤其涉及氧化镓晶片退火处理装置。
背景技术
氧化镓是一种无机化合物,化学式为Ga2O3,别名三氧化二镓,是一种宽禁带半导体,Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片,它还可以用作O2化学探测器。
在氧化镓晶片猝火加热后的要第一时间进行退火处理,间隔过程过长会导致品控下降,氧化镓晶片通常在淬火后需要转移至退火平台进行退火工艺处理,但是现有的退火处理装置结构简单,功能单一,不能及时进行转移处理,因此需要氧化镓晶片退火处理装置。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决氧化镓晶片高效的移动问题,而提出的氧化镓晶片退火处理装置。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种氧化镓晶片退火处理装置,包括底座,所述底座顶部固定连接有立杆,所述立杆侧壁连接有横杆,所述横杆底部连接有固定圆盘,所述固定圆盘侧壁固定连接有限位杆,所述限位杆侧壁连接有移动机构,所述移动机构包括驱动电机,所述驱动电机固定连接在限位杆侧壁,所述驱动电机输出端连接有连接杆,所述连接杆侧壁转动连接有第一转轴,所述第一转轴侧壁转动连接有连杆,所述连杆远离第一转轴的一端转动连接有第二转轴,所述第二转轴外壁转动连接有驱动块,所述驱动块侧壁连接有支撑圆盘,所述支撑圆盘底部连接有夹持机构,所述夹持机构加持端与晶片相配合。
优选的,所述连杆对称设置有两组,两组所述连杆结构相同,两组所述连杆两端分别与第一转轴和第二转轴转动相连。
优选的,所述移动机构圆周阵列设置有三组,三组所述移动机构结构相同,三组所述移动机构所含驱动块均与支撑圆盘固定相连。
优选的,所述夹持机构包括夹持电机,所述夹持电机固定连接在支撑圆盘顶部,所述支撑圆盘底部部转动连接有丝杆,所述夹持电机输出端与丝杆相连,所述丝杆上螺纹连接有滑架,所述滑架外壁转动连接有驱动杆,所述驱动杆远离滑架的一端转动连接有滑块,所述丝杆底部转动连接有滑动盘,所述支撑圆盘底部固定连接有滑杆,所述滑杆和滑架滑动相连,所述滑动盘上开设有滑槽,所述滑块和滑槽相配合,所述滑块底部固定连接有连接架,所述连接架底部连接有夹块。
优选的,所述驱动杆、滑块、连接架和夹块分别设置有四组,四组所述驱动杆均与滑架转动相连。
与现有技术相比,本实用新型提供了氧化镓晶片退火处理装置,具备以下有益效果:
1、该氧化镓晶片退火处理装置,通过夹持电机和夹块相配合,使夹持机构实现对氧化镓晶片夹取和释放的功能,使氧化镓晶片在移动过程中更加稳定。
2、该氧化镓晶片退火处理装置,通过三组移动机构相配合,使夹持机构在夹取高度可以调节,在夹取位置可以调节,在夹取氧化镓晶片后可以移动至指定退火位置,在退货完成后夹取氧化镓晶片至放置区域,提高移动效率,可根据不同环境进行移动,提高适应性,减少移动时间,提高品控。
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