[实用新型]发射尖端及热场发射电子源有效
申请号: | 202120464209.9 | 申请日: | 2021-03-03 |
公开(公告)号: | CN214254337U | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 郝占海;蔡素枝;陆梁 | 申请(专利权)人: | 大束科技(北京)有限责任公司 |
主分类号: | H01J37/063 | 分类号: | H01J37/063;H01J37/26 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人: | 高淑凤 |
地址: | 102200 北京市昌平区回*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 尖端 电子 | ||
1.一种发射尖端,其特征在于,包括针本体(1)和针尖(2),其中:所述针本体(1)的一端与所述针尖(2)的一端相连接,所述针尖(2)远离所述针本体(1)的一端向前延伸形成双曲线形结构且逐渐缩小,所述双曲线形结构的头端向前延伸形成长直的圆柱体形结构。
2.根据权利要求1所述的发射尖端,其特征在于:所述圆柱体形结构的头端设置为弧面结构且其外表面平滑过渡。
3.根据权利要求1所述的发射尖端,其特征在于:所述针本体(1)与所述针尖(2)一体式连接。
4.根据权利要求1所述的发射尖端,其特征在于:所述针本体(1)为圆柱体形结构。
5.根据权利要求1所述的发射尖端,其特征在于:所述针本体(1)和所述针尖(2)均采用单晶钨制成。
6.一种热场发射电子源,其特征在于,包括加热叉(3)、氧化锆(4)和权利要求1-5任一项所述的发射尖端,其中:所述氧化锆(4)连接在所述针本体(1)的中部,所述加热叉(3)与所述针本体(1)远离所述针尖(2)的一端相连接。
7.根据权利要求6所述的热场发射电子源,其特征在于:还包括接线柱(5)、绝缘座(6)和抑制极(7),所述抑制极(7)罩设在所述绝缘座(6)的外部,所述接线柱(5)的数量为若干个,所有的所述接线柱(5)均穿过所述绝缘座(6),每个所述接线柱(5)均有一端延伸出所述绝缘座(6)且其另一端与所述加热叉(3)相连接。
8.根据权利要求7所述的热场发射电子源,其特征在于:所述绝缘座(6)为陶瓷座。
9.根据权利要求7所述的热场发射电子源,其特征在于:所述抑制极(7)为肖特基抑制极。
10.根据权利要求6所述的热场发射电子源,其特征在于:所述加热叉(3)为钨发叉。
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