[实用新型]带基极电流补偿的基准电压源集成器件

权利要求书

1.一种带基极电流补偿的基准电压源集成器件，其特征在于，包括：

基准电压生成模块，所述基准电压生成模块的基极用于输出基准电压；

基极电流补偿模块，所述基极电流补偿模块产生基极补偿电流并输出至所述基准电压生成模块的所述基极，以抵消所述基准电压生成模块的所述基极的基极电流，使得所述基准电压生成模块输出补偿后的基准电压；以及

基准电压输出模块，所述基准电压输出模块包括电压调整子模块，所述电压调整子模块能够将所述补偿后的基准电压升高至预定电压。

2.根据权利要求1所述的带基极电流补偿的基准电压源集成器件，其特征在于，所述基准电压输出模块包括第三电阻器、第四电阻器以及第一缓冲器，所述第三电阻器的第一端接地，所述第三电阻器的第二端与所述第四电阻器的第一端连接，所述第四电阻器的第二端与所述第一缓冲器的第一端连接，所述第一缓冲器的第二端与基准电压源集成器件的器件电压端连接，所述第三电阻器的第二端与所述基准电压生成模块的基极连接，所述第四电阻器的第二端输出所述预定电压。

3.根据权利要求2所述的带基极电流补偿的基准电压源集成器件，其特征在于，所述预定电压能够通过所述第三电阻器与所述第四电阻器的比值进行调整。

4.根据权利要求1或2所述的带基极电流补偿的基准电压源集成器件，其特征在于，所述基极电流补偿模块包括第一电流镜像模块、第二电流镜像模块以及第一补偿三极管，所述第一电流镜像模块将基准电压集成器件的偏置电流镜像为M倍，即M*IPTAT，M为大于等于1的自然数，使得所述第一补偿三极管的发射极电流为偏置电流的M倍且所述第一补偿三极管的基极电流为M*IPTAT/Beta，其中，Beta为所述第一补偿三极管的电流放大系数，所述第二电流镜模块对所述第一补偿三极管的基极电流进行镜像，镜像为M*IPTAT/Beta，作为所述基极补偿电流输出至所述基准电压生成模块的所述基极。

5.根据权利要求2所述的带基极电流补偿的基准电压源集成器件，其特征在于，所述基极电流补偿模块包括第一电流镜像模块、第二电流镜像模块以及第一补偿三极管，所述第一电流镜像模块将基准电压集成器件的偏置电流IPTAT镜像为二倍，即2*IPTAT，使得所述第一补偿三极管的发射极电流为偏置电流的二倍且所述第一补偿三极管的基极电流为2*IPTAT/Beta，其中，Beta为所述第一补偿三极管的电流放大系数，所述第二电流镜模块对所述第一补偿三极管的基极电流进行镜像，镜像为2*IPTAT/Beta，作为所述基极补偿电流输出至所述基准电压生成模块的所述基极。

6.根据权利要求5所述的带基极电流补偿的基准电压源集成器件，其特征在于，所述第一电流镜像模块包括第三N型场效应管以及第四N型场效应管，所述第三N型场效应管的第一端接地，所述第四N型场效应管的第一端接地，所述第三N型场效应管的控制端与所述第四N型场效应管的控制端连接，所述第三N型场效应管的第二端与所述第三N型场效应管的控制端连接，所述第三N型场效应管的第二端输入偏置电流，所述第四N型场效应管的第二端与所述第一补偿三极管的发射极连接。

7.根据权利要求5所述的带基极电流补偿的基准电压源集成器件，其特征在于，所述第二电流镜像模块包括第七P型场效应管、第八P型场效应管、第九P型场效应管以及第十P型场效应管，所述第八P型场效应管的第一端与所述第一补偿三极管的基极连接，所述第八P型场效应管的第二端与所述第十P型场效应管的第一端连接，所述第十P型场效应管的第二端与基准电压源集成器件的器件电压端连接，所述第九P型场效应管的第二端与基准电压源集成器件的器件电压端连接，所述第九P型场效应管的第一端与第七P型场效应管的第二端连接，所述第七P型场效应管的第一端与所述基准电压生成模块的基极连接；

所述第七P型场效应管的控制端与所述第八P型场效应管的控制端连接，所述第九P型场效应管的控制端与所述第十P型场效应管的控制端连接；

所述第八P型场效应管的第一端与所述第十P型场效应管的控制端连接。