[实用新型]一种反光膜表面处理装置有效
申请号: | 202120476082.2 | 申请日: | 2021-03-05 |
公开(公告)号: | CN214226931U | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 高瑞;丁培兴;刘浩 | 申请(专利权)人: | 苏州高德辰光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/054 |
代理公司: | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人: | 张明立 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反光 表面 处理 装置 | ||
本实用新型设计的一种反光膜表面处理装置,本实用新型的中间辊筒使用直径120mm铝辊,上下辊筒使用直径80mm辊筒,直径80mm辊筒与直径120mm铝辊圆心距为160mm,以此来形成包角,避免损伤反光膜结构,使反光膜经过设备的处理后在组件层压使用过程中不出现偏移现象,提高反光膜与焊带之间的层间剥离力,保护电镀层表面不会出现划伤,反射面结构不会出现损坏,包装反射面反射效果,使用本装置处理后的反射膜完全可以达到预期要求,所有反光膜加工的设备都可以使用。
技术领域
本实用新型涉及反光膜生产领域,尤其涉及一种反光膜表面处理装置。
背景技术
太阳能光伏组件使用反光膜提高光电转换效率,反光膜在贴附电池片焊带上方经过层压有偏移以及断裂的现象发生,此种贴膜组件在市场上占有一定的需求量,随着此类贴膜组件的生产,解决反光膜产品贴附层压偏移问题的设备也将在这个材料中会得到应用,反光膜产品的生产过程中在组件使用端层压时会出现与焊带偏移或者断裂的问题,如果产生偏移断裂,焊带不能被贴膜覆盖,反而会遮盖电池片表面,损害电池片功率,同时也有电池片因此受力发生裂片的危险,因为反光膜产品结构具备厚度薄、表面电镀的特殊性,在反光膜做表面处理时要充分考虑到这些问题。
实用新型内容
本实用新型旨在提供一种反光膜表面处理装置。
为实现上述技术目的,本实用新型采用以下技术方案,一种反光膜表面处理装置,表面处理装置包括从上至下三个圆心处于同一垂直线的辊筒,这三个辊筒从上至下依次为上辊筒、过度辊筒、下辊筒,上辊筒与下辊筒的直径为80mm,过渡辊筒的直径为120mm,过渡辊筒与上辊筒和下辊筒的圆心距离为180mm,过渡辊筒的侧面与过渡辊筒圆心位于同一水平高度的位置设有对准过渡辊筒的陶瓷电极,陶瓷电极连接气缸的连接杆,气缸通过连接杆控制陶瓷电极与过渡辊筒表面的间距,加工时调整气缸行程位置,以电极距离反光膜1mm为基准。
作为优选,上、下辊筒与过渡辊筒均采用铝辊。
作为优选,过渡辊筒的表面包裹有透明聚酯薄膜,该聚酯薄膜的厚度为0.038mm,使用0.038mm厚度透明聚酯薄膜将直径120mm辊筒包裹,辊筒包裹后表面均匀光滑,避免划伤反光膜。
作为优选,电极使用直径15mm的陶瓷电极,三根电极使用并联,整体固定,避免使用串联造成线路过载。
作为优选,电极连接中压变压器,变压器使用档位控制调节。
本实用新型的创新之处是针对目前反光膜的表面处理避免影响产品的外观和性能,本实用新型的中间辊筒使用直径120mm铝辊,上下辊筒使用直径80mm辊筒,直径80mm辊筒与直径120mm铝辊圆心距为160mm,以此来形成包角,避免损伤反光膜结构,使反光膜经过设备的处理后在组件层压使用过程中不出现偏移现象,提高反光膜与焊带之间的层间剥离力,保护电镀层表面不会出现划伤,反射面结构不会出现损坏,包装反射面反射效果,使用本装置处理后的反射膜完全可以达到预期要求,所有反光膜加工的设备都可以使用。
附图说明
图1为本实用新型的示意图。
图中:1、上辊筒;2、过渡辊筒;3、下辊筒;4、陶瓷电极;5、气缸;6、连接杆。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中,除非另有规定和限定,需要说明的是,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是机械连接或电连接,也可以是两个元件内部的连通,可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的