[实用新型]一种光控放大层叠封装结构以及可控硅芯片

权利要求书

1.一种光控放大层叠封装结构，其特征在于，包括设于封装壳体内部的发光元件、微控制器以及功率半导体，所述发光元件设于所述微控制器的上方与所述微控制器相对设置用于光耦合，所述微控制器与所述功率半导体电连接，所述微控制器用于电路一级放大，所述功率半导体用于电路二级放大。

2.根据权利要求1所述的一种光控放大层叠封装结构，其特征在于，所述功率半导体设于所述微控制器的一侧与所述微控制器并排设置。

3.根据权利要求1所述的一种光控放大层叠封装结构，其特征在于，还包第一引脚以及第二引脚，分别设于所述封装壳体的两侧，所述第一引脚与所述发光元件连接，所述第二引脚与所述微控制器以及功率半导体连接。

4.根据权利要求3所述的一种光控放大层叠封装结构，其特征在于，还包括相对设置的第一安装载体、第二安装载体，所述发光元件安装在所述第一安装载体上，所述微控制器以及功率半导体分别安装于所述第二安装载体上。

5.根据权利要求4所述的一种光控放大层叠封装结构，其特征在于，所述第一安装载体上设有第一安装部，所述第二安装载体上设有第二安装部，所述封装壳体包括相对设置的第一内壁和第二内壁，所述第一内壁上设有与第一安装部配合安装的第一配合部，所述第二内壁设有与所述第二安装部配合安装的第二配合部。

6.根据权利要求5所述的一种光控放大层叠封装结构，其特征在于，所述第一安装载体与所述第一引脚一体连接，所述第二安装载体与所述第二引脚一体连接。

7.根据权利要求4或5所述的一种光控放大层叠封装结构，其特征在于，所述发光元件间隔设于所述微控制器的正上方与所述微控制器相对设置。

8.根据权利要求1所述的一种光控放大层叠封装结构，其特征在于，所述发光元件为LED灯珠，和/或，所述功率半导体为可控硅。

9.根据权利要求3所述的一种光控放大层叠封装结构，其特征在于，所述第一引脚设有第一卡接部，所述第二引脚设有第二卡接部，所述第一卡接部与所述第二卡接部分别卡设于所述封装壳体相对的两侧。

10.一种可控硅芯片，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的一种光控放大层叠封装结构。