[实用新型]一种单晶硅生产导流装置有效
申请号: | 202120497072.7 | 申请日: | 2021-03-09 |
公开(公告)号: | CN214694455U | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 陈丽芳;孟祥宇 | 申请(专利权)人: | 锦州佑华硅材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 沈阳友和欣知识产权代理事务所(普通合伙) 21254 | 代理人: | 杨群;郭悦 |
地址: | 121000 辽宁省锦州市太和区*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 生产 导流 装置 | ||
本实用新型公开了一种单晶硅生产导流装置,包括外导流筒和内导流筒,所述外导流筒的内侧面上方设有固定块,所述固定块和外导流筒之间对应位置分别设有限制装置,限制装置由第一弹簧、支柱、第一安装块、第一卡杆、限制杆组成。本实用新型所述的一种单晶硅生产导流装置,属于单晶硅生产技术领域,通过设有的限制装置和限位装置配合固定块、连接块、第一卡块、支块、第二卡块之间的组合使用使其导流筒内外筒之间连接强度增加,连接的更加牢固,连接的更加紧密,从而解决了导流筒内外筒连接结构容易导致外导流筒脱落,进而造成硅料污染的问题,同时内导流筒构成和保温层的设计使用使其温度梯度大,提高拉速效率,使用更加的方便,实用性更强。
技术领域
本实用新型涉及单晶硅生产技术领域,特别涉及一种单晶硅生产导流装置。
背景技术
导流简又叫钼热屏,是单晶炉内使用的新兴配件;钼导流筒被引进单晶炉,是一次重要的改善;钼导流筒被放在单晶炉中石墨导流筒内部,实际测试结果显示,单晶炉炉体上部氩气变得顺畅,氩气流动加快,氧化硅在单晶炉上的沉积大大减少;因为钼导流筒温度保护,减少了加热时间,使结晶时间缩短近35%,晶体错位的发生率也减少;所以说钼导流筒的,应用降低了能耗,提高了生产效率;钼导流筒的形状是_上开口大,下开口小喇叭形。直拉式硅单晶生长炉是制备硅单晶材料的主要设备,其内部的石墨热场保证了硅单晶的稳定生长,导流筒是组成石墨热场的一部分,在硅单晶生长过程中起到了非常重要的作用;但是现有的一些的导流筒内外筒连接结构容易导致外导流筒脱落,进而造成硅料污染的问题。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种单晶硅生产导流装置,可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案为:
一种单晶硅生产导流装置,包括外导流筒和内导流筒,所述外导流筒的内侧面上方设有固定块,所述固定块和外导流筒之间对应位置分别设有限制装置,限制装置由第一弹簧、支柱、第一安装块、第一卡杆、限制杆组成,所述外导流筒的内侧下方由左到右一侧设有第一卡块、支块,所述外导流筒的内侧且位于固定块的右侧设有内导流筒,内导流筒包括第一导流块、第二导流块、第三导流块,所述内导流筒的外侧面上下依次设有连接块、第二卡块,所述第二卡块中设有限位装置,限位装置由第二安装块、第二弹簧、第二卡杆组成,所述内导流筒的内侧壁面设有衬板。
优选的,所述固定块固定连接外导流筒,所述第一卡块固定连接外导流筒,所述支块固定连接支块的内侧壁面。
优选的,所述固定块的顶面和外导流筒之间上下对应位置分别设有第一凹槽,所述第一凹槽内右壁面对应位置分别固定安装有第一安装块,所述第一安装块的一端活动连接有第一卡杆的一端,所述在第一安装块的内侧且位于第一凹槽中对应位置分别固定安装有限制杆,所述第一卡杆底面对应限制杆的位置设有第三卡槽,且限制杆的一端插入第三卡槽中,所述第一凹槽中中间偏左位置固定安装有支柱,所述支柱外侧嵌套安装有第一弹簧,第一弹簧一端固定连接第一凹槽内对应开口的内壁面,另一端固定连接第一卡杆,所述外导流筒的内侧壁面且位于固定块和外导流筒之间设有第二凹槽,所述连接块的一端插入第二凹槽中,所述连接块上下壁面对应第一卡杆另一端位置分别设有第一卡槽,第一卡杆的另一单插入第一卡槽中,所述外导流筒顶面设有铆钉,且铆钉将连接块与外导流筒和固定块相连接。
优选的,所述连接块的另一端固定连接内导流筒,所述第一导流块、第二导流块、第三导流块之间依次想回固定连接,所述第二卡块固定连接内导流筒下端,所述衬板固定连接内导流筒内侧壁面。
优选的,所述第二卡块对应支块的壁面设有第四凹槽,所述支块的一端插入第四凹槽中,所述第四凹槽上下内壁面对应位置分别设有第三凹槽,所述第三凹槽中左侧对应开口的内壁面固定安装有第二安装块,所述第二安装块一端活动连接有第二卡杆的一端,所述支块的上下壁面对应第二卡杆的位置分别设有第二卡槽,且第二卡杆下端插入第二卡槽中,所述第二安装块中内左壁面对应位置分别设有收纳槽,所述第二弹簧分别安装在收纳槽中,且一端固定连接收纳槽内左壁面,右端固定连接第二卡杆。
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