[实用新型]一种带限位槽的单晶生长用坩埚埚托结构

权利要求书

1.一种带限位槽的单晶生长用坩埚埚托结构，为分体式结构，包括：

石墨埚托，位于整个埚托结构的最底部，石墨埚托的上表面具有一弧形凹面；

石墨埚托环，设置在所述石墨埚托的上端，石墨埚托环的环内壁面为弧形面，所述弧形面与所述弧形凹面的弧度相同，其特征在于，所述石墨埚托环由多个石墨埚托环段单元组合而成，所述石墨埚托环的下表面设有向下延伸的第一环形凸起，所述石墨埚托的上表面设有与所述第一环形凸起相配合的环形定位槽。

2.根据权利要求1所述的带限位槽的单晶生长用坩埚埚托结构，其特征在于，所述环形定位槽的宽度为5-20mm，环形定位槽的深度为3-10mm。

3.根据权利要求1所述的带限位槽的单晶生长用坩埚埚托结构，其特征在于，所述石墨埚托的上表面位于所述弧形凹面的外边缘设有向上延伸的第二环形凸起，所述石墨埚托环的底部设有与所述第二环形凸起外壁相贴合的限位部。

4.根据权利要求1所述的带限位槽的单晶生长用坩埚埚托结构，其特征在于，所述石墨埚托环的底部外边缘设有向下延伸的第三环形凸起，所述第三环形凸起的内壁与所述石墨埚托的外壁贴合。

5.根据权利要求1所述的带限位槽的单晶生长用坩埚埚托结构，其特征在于，所述石墨埚托环段单元的数量为两个。