[实用新型]一种垂直腔面发射激光器的外延结构有效
| 申请号： | 202120500244.1 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN214589685U | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 薛婷 | 申请（专利权）人： | 福建慧芯激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人： | 陈云川 |
| 地址： | 362100 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 激光器 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种垂直腔面发射激光器的外延结构，包括砷化镓衬底，砷化镓衬底上依次沉积有砷化镓缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层，其特征在于：所述有源层由依次设置的限制层、波导层和堆垛层、对称波导层以及对称限制层组成，所述堆垛层包括多个堆垛单元和设置在堆垛单元之间的第一砷化镓层，所述堆垛单元包括依次设置在第二砷化镓层、第一砷化铟镓层、砷化铟量子点层以及第二砷化铟镓层，所述第一砷化镓层的厚度在50至100nm。
2.如权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器的外延结构，其特征在于：所述第一砷化镓层的两侧均沉积有多个所述堆垛单元。
3.如权利要求2所述的一种垂直腔面发射激光器的外延结构，其特征在于：所述第二砷化镓层的厚度为45nm。
4.如权利要求3所述的一种垂直腔面发射激光器的外延结构，其特征在于：所述第一砷化铟镓层的厚度为1nm。
5.如权利要求4所述的一种垂直腔面发射激光器的外延结构，其特征在于：所述砷化铟量子点层为2.7个单分子层。
6.如权利要求5所述的一种垂直腔面发射激光器的外延结构，其特征在于：所述第二砷化铟镓层的厚度为6nm。
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