[实用新型]一种交流启动电路有效
申请号: | 202120503801.5 | 申请日: | 2021-03-09 |
公开(公告)号: | CN214380647U | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 邱东 | 申请(专利权)人: | 上海物骐微电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人: | 赵玉乾 |
地址: | 201207 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 交流 启动 电路 | ||
1.一种交流启动电路,应用于上升电源中的电流/电压产生电路,包括第一自偏置端和第二自偏置端,其特征在于,所述交流启动电路包括第一开关管、第二开关管和耦合电路;
所述第一开关管的受控端与所述第一自偏置端连接,所述第一开关管的第二连接端接地,所述第一开关管的第一连接端与所述第二开关管的受控端连接,以形成交流启动端;所述第二开关管的第一连接端与所述第一自偏置端连接,所述第二开关管的第二连接端与所述第二自偏置端连接;
所述耦合电路,用于将电源端的阶跃变化信号耦合至所述交流启动端,控制所述第二开关管的通断;
所述第二开关管,用于控制所述电流/电压产生电路中第一自偏置端和第二自偏置端的连通或断开。
2.根据权利要求1所述的交流启动电路,其特征在于,所述第一开关管为第一N型MOS管,所述第一N型MOS管的栅极为所述第一开关管的受控端,所述第一N型MOS管的源极为所述第一开关管的第一连接端,所述第一N型MOS管的漏极为所述第一开关管的第二连接端。
3.根据权利要求1所述的交流启动电路,其特征在于,所述第二开关管为第二N型MOS管,所述第二N型MOS管的栅极为所述第二开关管的受控端,所述第二N型MOS管的源极为所述第二开关管的第一连接端,所述第二N型MOS管的栅极为所述第二开关管的第二连接端。
4.根据权利要求1所述的交流启动电路,其特征在于,所述耦合电路包括一耦合电容,所述耦合电容的第一端与电源端连接,所述耦合电容的第二端、所述第一开关管的受控端和所述第二开关管的第二连接端公共连接。
5.根据权利要求1所述的交流启动电路,其特征在于,所述电流/电压产生电路还包括第三开关管和第四开关管;
所述第三开关管的受控端为所述第一自偏置端,所述第三开关管的第一连接端连接电源端,所述第四开关管的受控端为所述第二自偏置端,所述第四开关管的第二连接端接地,所述第三开关管的第二连接端和所述第四开关管的第一连接端分别连接至所述上升电源中的被控制电路。
6.根据权利要求5所述的交流启动电路,其特征在于,所述第三开关管为第一P型MOS管,所述第一P型MOS管的栅极为所述第三开关管的受控端,所述第一P型MOS管的源极为所述第三开关管的第一连接端,所述第一P型MOS管的漏极为所述第三开关管的第二连接端。
7.根据权利要求5所述的交流启动电路,其特征在于,所述第四开关管为第三N型MOS管,所述第三N型MOS管的栅极为所述第四开关管的受控端,所述第三N型MOS管的源极为所述第四开关管的第一连接端,所述第三N型MOS管的漏极为所述第四开关管的第二连接端。
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