[实用新型]一种基于陶瓷基底的嵌入式薄膜传感器结构

权利要求书

1.一种基于陶瓷基底的嵌入式薄膜传感器结构，其特征在于：包括陶瓷基底和陶瓷上盖，在陶瓷基底上设置粘接层，在粘接层上设置传感器电路层，陶瓷上盖设置在传感器电路层上，厚度大于1um，陶瓷上盖覆盖传感器电路层除焊盘外的部分。

2.根据权利要求1所述的基于陶瓷基底的嵌入式薄膜传感器结构，其特征在于：所述陶瓷基底和陶瓷上盖之间，传感器电路层外的区域设置中间层，或在陶瓷基底和陶瓷上盖之间，以及覆盖传感器电路层的区域设置中间层，中间层不覆盖传感器电路层的焊盘。

3.根据权利要求2所述的基于陶瓷基底的嵌入式薄膜传感器结构，其特征在于：所述中间层为金属中间层，金属中间层边缘与传感器电路层边缘之间留有间隙；通过中间层与陶瓷基底、陶瓷上盖三者之间的相互扩散，使得陶瓷基底与陶瓷上盖之间形成稳定而牢靠的接头区。

4.根据权利要求2所述的基于陶瓷基底的嵌入式薄膜传感器结构，其特征在于：所述中间层为陶瓷中间层，陶瓷中间层位于陶瓷基底和陶瓷上盖之间，以及覆盖传感器电路层除焊盘以外的区域。

5.根据权利要求1所述的基于陶瓷基底的嵌入式薄膜传感器结构，其特征在于：所述粘接层为一层厚5～100nm的金属钛层或铬层。

6.根据权利要求2所述的基于陶瓷基底的嵌入式薄膜传感器结构，其特征在于：所述中间层为一层厚0.05～500um的金属层或陶瓷层。

7.根据权利要求6所述的基于陶瓷基底的嵌入式薄膜传感器结构，其特征在于：所述中间层的金属层为钴层或铝层。